时间：2025/8/24 3:18:49
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61000813321是一款高压MOSFET功率晶体管，常用于电源管理和功率控制应用。该器件具有较高的电流和电压处理能力，适合用于开关电源、电机控制和功率放大器等电路。61000813321采用先进的半导体工艺制造，确保了其在高功率环境下的稳定性和可靠性，同时具备较低的导通电阻以提高能效。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：50A
漏极-源极电压（Vds）：600V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω
功率耗散（Pd）：175W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
晶体管配置：单管
61000813321是一款高性能的高压MOSFET，具备出色的导通性能和耐压能力。其导通电阻低至0.18Ω，能够在高电流条件下保持较低的导通损耗，从而提高整体系统的能效。此外，该器件支持高达600V的漏极-源极电压，适用于需要高压工作的电源和功率控制电路。
该MOSFET采用TO-247封装，具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定的工作温度。其栅极-源极电压范围为±20V，确保了在不同驱动条件下的稳定性和可靠性。61000813321的最大漏极电流可达50A，适用于高功率开关应用，如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器和工业自动化设备。
61000813321广泛应用于各种高功率电子设备中，如开关电源、功率因数校正（PFC）电路、逆变器、电机控制器和DC-DC转换器。由于其高耐压和大电流能力，该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的工业自动化系统、家电电源管理和电动车充电器等应用场合。
STP55NF06, FQA50N60, IRFGB40
