CXK5863M-35是一种高速静态随机存取存储器(SRAM),由Cypress Semiconductor公司制造。该芯片属于高速CMOS SRAM类别,具有低功耗和高速访问时间的特点,适用于需要快速数据存取的应用场景。该器件采用标准异步设计,无需时钟信号,通过地址线和控制信号实现数据的读写操作。其封装形式通常为28引脚DIP或SOIC,适合在多种工业和通信设备中使用。
容量:8K x 8位
访问时间:35ns
电源电压:5V ± 10%
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
封装类型:28引脚DIP或SOIC
输入/输出电平:TTL兼容
最大工作频率:约25MHz(基于访问时间计算)
功耗:典型值约150mA(工作模式),待机模式下小于10mA
地址线数量:13位(A0-A12)
数据线数量:8位(I/O0-I/O7)
CXK5863M-35 SRAM芯片具备多项显著特性。首先,其高速访问时间为35ns,能够满足高速数据存取的需求,适用于实时控制系统和高速缓存应用场景。其次,芯片支持TTL电平输入,兼容多种数字电路设计,便于与各种微处理器和控制器连接。此外,该芯片具备低功耗特性,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长电池供电设备的使用寿命。
该芯片采用CMOS技术制造,不仅提高了抗干扰能力,还降低了静态功耗。其异步设计无需时钟信号,简化了系统时序设计,提高了系统的稳定性。工业级温度范围确保该芯片能够在恶劣环境下稳定运行,适用于工业自动化、通信设备以及嵌入式系统等领域。
此外,CXK5863M-35具有宽电源电压范围(5V ± 10%),增强了电源适应性,适用于不同电源条件下的应用。其标准封装形式(如28引脚DIP或SOIC)便于PCB布局和焊接,适合批量生产。
CXK5863M-35 SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储和低延迟访问的场合。例如,在工业控制系统中,该芯片可作为高速缓存,用于临时存储关键数据或程序代码,确保系统响应速度。在通信设备中,CXK5863M-35可作为数据缓冲器,用于处理高速数据流,提升数据传输效率。此外,它还适用于嵌入式系统、微控制器模块、测试仪器以及医疗设备等需要高可靠性和高速存取能力的应用场景。
由于其低功耗和高稳定性,该芯片也常用于需要长时间运行的设备中,例如安防监控系统、网络路由器和交换机等。其异步接口设计使其能够灵活适配多种主控芯片,降低了系统设计的复杂度。
CY6263BLL-35LPXCT, IDT7163SA35J, AS6C6264A-35SIN, ISSI IS61C6264AL-35TL