时间：2025/7/26 9:24:56
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60R190P 是一款常见的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件通常采用N沟道结构，具备较高的电流和电压承受能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用。60R190P中的“60R”表示其漏源导通电阻（Rds(on)）为60毫欧，“190”表示其最大漏极电流为190A，“P”则代表其封装形式，通常是TO-263或类似的表面贴装封装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：60V
最大漏极电流（ID）：190A
导通电阻（Rds(on)）：60mΩ
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）或类似表面贴装封装
60R190P具备低导通电阻（Rds(on)）特性，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高电流承载能力使其适合用于高功率密度设计，例如服务器电源、电动车充电系统和高性能计算设备的电源模块。
此外，60R190P采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提升了开关性能和热稳定性，能够在高频率开关条件下保持较低的开关损耗。其封装形式支持表面贴装工艺，有利于自动化生产和提高PCB布局的灵活性。
在热管理方面，60R190P的封装设计具有良好的散热性能，可以在高负载条件下维持较低的工作温度，从而提高系统的可靠性和使用寿命。同时，该器件具有较高的抗雪崩能力和过载保护性能，适用于严苛的工作环境。
60R190P广泛应用于各类高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关和功率因数校正（PFC）电路等。
在服务器和通信设备的电源模块中，60R190P可用于高效同步整流，提升整体电源转换效率。在电动汽车和工业控制系统中，它可作为主功率开关或电机控制开关，实现高效的能量转换与控制。
此外，该MOSFET还可用于高功率LED照明系统、太阳能逆变器和UPS不间断电源系统等新兴应用领域。
SiR190DP-T1-GE3, FDP190N606SD, IPW60R060C6
