型号：60N60FD1
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：60A
　　最大功耗（Ptot）：300W
　　导通电阻（Rds(on)）：75mΩ @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3V ~ 5V
　　输入电容（Ciss）：4300pF
　　输出电容（Coss）：170pF
　　反向恢复时间（trr）：35ns
　　二极管反向恢复电荷（Qrr）：38nC
　　栅极电荷（Qg）：140nC @ Vds=480V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220FP, TO-247

60N60FD1的核心特性之一是采用了意法半导体独有的“超级结”结构，这一创新技术通过在漂移区交替排列P型和N型柱状区域，显著降低了导通电阻与输出电容之间的乘积（Rds(on) × Coss），从而实现了在高压应用中前所未有的效率水平。这种结构不仅提升了器件的功率密度，还有效抑制了传统MOSFET在高电压下出现的“导通电阻随电压升高而急剧增加”的问题。该器件的Rds(on)仅为75mΩ，在同类600V N沟道MOSFET中处于领先水平，意味着在大电流工作状态下产生的导通损耗更低，有助于减少散热需求并缩小整体电源体积。
　　另一个关键特性是其优化的开关性能。60N60FD1具有较低的栅极电荷（Qg = 140nC）和米勒电容（Crss），这使得在高频开关应用中所需的驱动功率更小，同时减少了开关过程中的电压和电流重叠时间，从而大幅降低开关损耗。这对于工作频率在几十kHz到数百kHz的SMPS（开关模式电源）尤为重要，有助于实现更高的转换效率和更紧凑的设计。
　　此外，60N60FD1集成了一个高性能的体二极管，其反向恢复时间（trr）仅为35ns，反向恢复电荷（Qrr）低至38nC。这一特性对于防止在桥式拓扑或连续导通模式（CCM）PFC电路中出现严重的电流反向恢复尖峰至关重要。低Qrr意味着在二极管关断时产生的能量损耗更少，同时减少了电磁干扰（EMI），提高了系统的整体可靠性和抗噪声能力。该体二极管经过专门优化，能够在高dv/dt条件下保持稳定，避免误触发或闩锁效应。
　　在热性能方面，60N60FD1采用TO-220FP或TO-247封装，具有优异的热传导能力，能够将内部产生的热量高效地传递至散热器。其最大功耗可达300W，结温最高支持150°C，表明其具备出色的耐热能力和长期运行稳定性。器件还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保护自身不被损坏，进一步增强了其在工业和通信电源中的适用性。

60N60FD1广泛应用于各类高效率、高可靠性的电力电子系统中。其主要应用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是在服务器电源、通信电源和工业电源中作为主开关管使用。由于其低导通电阻和优异的开关特性，该器件能够显著提升电源的整体效率，满足80 PLUS铂金或钛金等高能效认证的要求。在功率因数校正（PFC）电路中，60N60FD1常用于升压型PFC拓扑，特别是在连续导通模式（CCM）下，其快速恢复体二极管和低Qrr特性可有效减少二极管反向恢复带来的损耗和噪声，提升PFC级的效率和稳定性。
　　此外，该器件也适用于DC-DC转换器，尤其是在高输入电压（如400V母线）的隔离型或非隔离型转换器中，作为初级侧开关元件。其高耐压能力和低开关损耗使其成为构建高效DC-DC模块的理想选择。在LED照明驱动电源中，60N60FD1可用于构建高功率、高效率的恒流驱动电路，尤其适用于商业和工业照明场景。
　　其他应用还包括逆变器、UPS（不间断电源）、太阳能微逆变器、电机驱动中的辅助电源以及各类高电压DC-AC转换系统。由于其具备良好的热稳定性和抗浪涌能力，60N60FD1也能在环境温度较高或负载波动较大的工业环境中稳定运行。其TO-247封装版本尤其适合需要强制风冷或水冷的高功率密度设计，而TO-220FP版本则更适合空间受限但功率适中的应用场景。

STW60N60FD2, STW60N60FD2AG, 60N60FDE, FCH60N60FDT