60N60 时间：2025/7/23 0:33:24 阅读：8

60N60是一款功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高功率开关应用。它具有较高的电流和电压耐受能力，适合应用于电源转换器、电机驱动和电力电子设备中。60N60的封装形式通常为TO-247或TO-220，具备良好的散热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：60A
　　最大漏源电压：600V
　　导通电阻（Rds(on)）：通常为0.25Ω
　　栅极阈值电压：2-4V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247或TO-220

特性

60N60具有低导通电阻，这使得它在高电流应用中具有较低的功率损耗。
　　该器件的高电压耐受能力（600V）使其适用于高压电源系统。
　　由于其封装设计，60N60具备良好的散热性能，可以在较高环境温度下稳定工作。　　该MOSFET具有较高的可靠性和耐用性，适合长时间连续工作的工业应用。

应用

60N60广泛应用于电源管理领域，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器和逆变器。
　　在电机驱动系统中，60N60用于控制电机的启停和速度调节。
　　该器件也常用于工业自动化设备、UPS系统以及LED照明驱动电路。
　　此外，60N60还可用于高频开关应用，如变频器和功率因数校正（PFC）电路。