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60N60 发布时间 时间:2025/7/23 0:33:24 查看 阅读:5

60N60是一款功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于高功率开关应用。它具有较高的电流和电压耐受能力,适合应用于电源转换器、电机驱动和电力电子设备中。60N60的封装形式通常为TO-247或TO-220,具备良好的散热性能。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:60A
  最大漏源电压:600V
  导通电阻(Rds(on)):通常为0.25Ω
  栅极阈值电压:2-4V
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247或TO-220

特性

60N60具有低导通电阻,这使得它在高电流应用中具有较低的功率损耗。
  该器件的高电压耐受能力(600V)使其适用于高压电源系统。
  由于其封装设计,60N60具备良好的散热性能,可以在较高环境温度下稳定工作。  该MOSFET具有较高的可靠性和耐用性,适合长时间连续工作的工业应用。

应用

60N60广泛应用于电源管理领域,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和逆变器。
  在电机驱动系统中,60N60用于控制电机的启停和速度调节。
  该器件也常用于工业自动化设备、UPS系统以及LED照明驱动电路。
  此外,60N60还可用于高频开关应用,如变频器和功率因数校正(PFC)电路。

替代型号

IRF640N, FDPF6N60, STP60N60

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