时间：2025/6/14 14:22:53
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600L3R9BW200T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用了先进的制程技术，能够提供低导通电阻和快速开关特性，适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。其封装形式为 TO-247，具有良好的散热性能。
型号：600L3R9BW200T
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：3.9mΩ
栅极电荷：45nC
总电容：1500pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
600L3R9BW200T 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低导通损耗。
2. 快速开关速度，支持高频应用，从而减小磁性元件体积并提升系统效率。
3. 高击穿电压设计，确保在高压环境下稳定运行。
4. 内置雪崩能量保护功能，增强了器件的耐用性和可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 封装形式为 TO-247，具备优秀的散热能力和机械稳定性。
600L3R9BW200T 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关模式电源 (SMPS)，例如适配器、充电器等。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. DC-DC 转换器，用于电信设备或服务器电源。
4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
5. LED 照明驱动电路。
6. 各种需要高效功率管理的应用场合。
600L3R9BW150T, IRFP460, STW17N60
