600L0R5BT200T是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高耐压和低导通电阻的应用场景。该器件采用TO-247封装形式,具备出色的开关特性和稳定性,适用于工业电源、电机驱动以及太阳能逆变器等领域。
这款芯片的设计目标是提供高效的功率转换能力,同时减少能量损耗。其核心特性包括高击穿电压、低导通电阻以及快速开关速度,从而满足现代电力电子设备对效率和可靠性的要求。
最大漏源电压:600V
最大连续漏极电流:18A
最大栅源电压:±20V
导通电阻:5mΩ
总功耗:200W
工作温度范围:-55℃ to 175℃
封装形式:TO-247
600L0R5BT200T具有以下关键特性:
1. 高耐压能力,能够承受高达600V的漏源电压,适合各种高压应用环境。
2. 极低的导通电阻(5mΩ),显著降低了传导过程中的能量损耗。
3. 快速开关速度,有效减少开关损耗并提升系统效率。
4. 宽泛的工作温度范围(-55℃至175℃),确保在极端条件下仍能稳定运行。
5. TO-247封装设计,便于散热处理和安装操作。
6. 出色的抗雪崩能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
这些特性使得该MOSFET成为高性能功率转换应用的理想选择。
600L0R5BT200T广泛应用于以下领域:
1. 工业电源供应器,用于高效电能转换和稳定输出。
2. 电机驱动控制,实现精确的速度调节和扭矩管理。
3. 太阳能逆变器,支持可再生能源系统的高效能源转换。
4. 不间断电源(UPS)系统,保障关键设备的持续供电。
5. 开关模式电源(SMPS),优化功率密度和效率。
通过利用其高耐压和低损耗特点,该器件能够在多种复杂环境下表现出色,满足不同行业的需求。
IRFP460,
STP18N60,
FDP18N60,
IXFN100N60T2