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600L0R5BT200T 发布时间 时间:2025/6/5 16:07:17 查看 阅读:7

600L0R5BT200T是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高耐压和低导通电阻的应用场景。该器件采用TO-247封装形式,具备出色的开关特性和稳定性,适用于工业电源、电机驱动以及太阳能逆变器等领域。
  这款芯片的设计目标是提供高效的功率转换能力,同时减少能量损耗。其核心特性包括高击穿电压、低导通电阻以及快速开关速度,从而满足现代电力电子设备对效率和可靠性的要求。

参数

最大漏源电压:600V
  最大连续漏极电流:18A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻:5mΩ
  总功耗:200W
  工作温度范围:-55℃ to 175℃
  封装形式:TO-247

特性

600L0R5BT200T具有以下关键特性:
  1. 高耐压能力,能够承受高达600V的漏源电压,适合各种高压应用环境。
  2. 极低的导通电阻(5mΩ),显著降低了传导过程中的能量损耗。
  3. 快速开关速度,有效减少开关损耗并提升系统效率。
  4. 宽泛的工作温度范围(-55℃至175℃),确保在极端条件下仍能稳定运行。
  5. TO-247封装设计,便于散热处理和安装操作。
  6. 出色的抗雪崩能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  这些特性使得该MOSFET成为高性能功率转换应用的理想选择。

应用

600L0R5BT200T广泛应用于以下领域:
  1. 工业电源供应器,用于高效电能转换和稳定输出。
  2. 电机驱动控制,实现精确的速度调节和扭矩管理。
  3. 太阳能逆变器,支持可再生能源系统的高效能源转换。
  4. 不间断电源(UPS)系统,保障关键设备的持续供电。
  5. 开关模式电源(SMPS),优化功率密度和效率。
  通过利用其高耐压和低损耗特点,该器件能够在多种复杂环境下表现出色,满足不同行业的需求。

替代型号

IRFP460,
  STP18N60,
  FDP18N60,
  IXFN100N60T2

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600L0R5BT200T参数

  • 现有数量93,546现货
  • 价格1 : ¥8.51000剪切带(CT)4,000 : ¥2.73803卷带(TR)
  • 系列ATC 600L
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容0.5 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用射频,微波,高频,旁通,去耦
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.040" 长 x 0.020" 宽(1.02mm x 0.51mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-