时间：2025/12/27 9:15:13
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5NM70Z-U2是一款由Power Integrations公司生产的高压、自供电的MOSFET集成电源开关（也称为离线式开关IC），专为高效率、小尺寸的开关电源（SMPS）应用设计。该器件属于Power Integrations旗下知名的InnoSwitch?产品系列，集成了初级侧控制器、高压MOSFET以及次级侧同步整流驱动器，采用先进的数字反馈技术（如FluxLink?磁感应通信），实现精确的输出电压和电流控制，同时无需光耦即可完成隔离反馈，提高了系统可靠性并减少了外部元件数量。5NM70Z-U2特别适用于需要满足严格能效标准（如Energy Star、DoE Level VI等）的应用场景，支持宽输入电压范围，能够在通用交流输入（85VAC至265VAC）条件下稳定工作。其内置的多种保护功能，包括过温保护、过流保护、输出过压/短路保护等，进一步增强了电源系统的安全性与鲁棒性。此外，该器件采用紧凑的InSOP-24D封装，具备优异的散热性能，适合在空间受限的高功率密度电源设计中使用。
产品系列：InnoSwitch?3-CP
集成MOSFET类型：700V PowiGaN? MOSFET
最大输出功率：约100W
输入电压范围：85VAC - 265VAC（通用交流输入）
开关频率：典型值约为100kHz
封装类型：InSOP-24D
隔离耐压：750VAC（加强绝缘）
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
反馈方式：FluxLink? 数字感应技术
效率等级：符合DoE Level VI, Energy Star要求
控制模式：准谐振（Quasi-Resonant, QR）与CCM/DCM混合模式
保护功能：OVP, UVP, OTP, OCP, SCP等
5NM70Z-U2的核心优势在于其采用了Power Integrations专利的PowiGaN?技术，即将氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）集成于单片IC中，显著降低了导通电阻和开关损耗，从而实现了比传统硅基MOSFET更高的转换效率和更高的开关频率。这不仅提升了整体电源系统的能效表现，还允许使用更小的磁性元件和滤波电容，进而减小了整体电源体积与重量，非常适合便携式设备或对空间敏感的应用。该器件通过FluxLink?双向磁感应通信技术实现初级与次级之间的精确控制信号传输，无需光耦，避免了光耦老化带来的可靠性问题，同时支持动态调节输出电压与电流，适应多模式充电需求。
在控制架构上，5NM70Z-U2集成了初级侧PWM控制器与次级侧同步整流（SR）驱动器，能够实时监测输出状态并进行闭环调节，确保在整个负载范围内保持高效率运行。它支持恒压（CV）与恒流（CC）双模式输出，广泛应用于电池充电器、适配器等领域。此外，其内置的自供电电路可在启动阶段从高压总线直接取电，无需辅助绕组，简化了变压器设计。智能保护机制包括自动恢复模式下的过载与短路保护、锁定模式下的过温保护等，有效防止故障扩大。该器件还具备极低的空载功耗（通常低于30mW），满足全球最严格的节能法规要求。凭借高度集成化的设计理念，5NM70Z-U2大幅减少了外围元件数量，降低了BOM成本，并提升了生产良率和系统可靠性。
5NM70Z-U2广泛应用于各类高性能、高效率的开关电源系统中，尤其适用于输出功率在65W至100W之间的USB PD快速充电器、笔记本电脑适配器、工业电源模块、智能家居控制单元、网络通信设备电源、LED驱动电源以及白色家电中的辅助电源。由于其支持宽输入电压范围和高效率运行，特别适合用于全球通用输入的消费类电子产品电源设计。在USB Type-C和USB Power Delivery（PD）迅速普及的背景下，5NM70Z-U2成为开发高功率密度、小体积快充头的理想选择，能够满足智能手机、平板电脑、便携式游戏机等多种设备的快速充电需求。此外，其出色的热性能和可靠性也使其适用于工业环境下的封闭式电源系统，在高温、高湿或振动环境下仍能稳定工作。对于需要无风扇散热设计或密封外壳的应用，该器件的低功耗与高效散热能力尤为重要。同时，因其具备精确的多路输出调节能力，也可用于多通道工业传感器供电、楼宇自动化系统电源等复杂应用场景。
INN3370C, INN3370K, INN3370A
