时间：2025/12/27 8:31:06
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5N70Z是一款高压、大电流的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种高效率功率管理电路中。该器件采用TO-220或TO-220F等封装形式，具备良好的热稳定性和电气性能，适合在工业控制、消费电子和电源适配器等场景下使用。5N70Z的设计重点在于实现低导通电阻（Rds(on)）与高击穿电压之间的平衡，从而在保证安全工作电压的同时降低导通损耗，提升系统整体效率。该MOSFET的命名规则中，“5N”通常代表产品系列或制造商代码，“70”表示其漏源击穿电压为700V，“Z”可能表示特定的工艺特性或体二极管优化设计。由于其高耐压能力，5N70Z特别适用于需要直接整流市电输入的离线式开关电源设计，如反激式（Flyback）拓扑结构中的主开关管。此外，该器件具有快速开关响应能力，能够支持较高的PWM频率，有助于减小外围磁性元件的体积，提高电源功率密度。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：700V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：5A（@25℃）
脉冲漏极电流（Idm）：20A
导通电阻（Rds(on)）：2.0Ω（@Vgs=10V）
阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：500pF（@Vds=25V）
输出电容（Coss）：100pF（@Vds=25V）
反向恢复时间（trr）：35ns
最大功耗（Pd）：125W
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220/TO-220F
5N70Z的核心特性之一是其高达700V的漏源击穿电压，这使其能够在不额外增加电压钳位电路的情况下直接应用于AC 220V整流后的母线电压环境中。在现代开关电源设计中，尤其是在反激式或准谐振变换器中，高耐压MOSFET是确保系统可靠性的关键元件。5N70Z的700V额定电压提供了足够的安全裕量，即使在电网电压波动或瞬态浪涌条件下也能保持稳定工作，避免因过压击穿导致的器件失效。此外，该电压等级也兼容全球范围内的交流供电标准，包括110V和220V系统，增强了其在国际市场的通用性。
另一个显著特性是其相对较低的导通电阻（Rds(on)），典型值为2.0Ω（在Vgs=10V时）。虽然相较于低压MOSFET而言这一数值较高，但在700V耐压级别的器件中属于较为优异的水平。低Rds(on)意味着在导通状态下产生的I2R损耗更小，从而减少发热，提高电源转换效率。这对于高负载持续工作的应用尤为重要，例如不间断电源（UPS）、LED驱动电源或工业控制电源模块。同时，低导通电阻也有助于简化散热设计，可能允许使用更小尺寸的散热片，从而降低整体系统成本和体积。
5N70Z还具备良好的开关特性，输入电容和输出电容较小，使得其在高频开关应用中表现出色。较小的寄生电容降低了驱动电路的负担，减少了开关过程中的能量损耗，提高了系统的动态响应能力。此外，其较快的反向恢复时间（trr约35ns）有助于减少与体二极管相关的开关损耗，尤其在硬开关拓扑中表现明显。这些特性共同作用，使5N70Z能够在数十kHz至数百kHz的开关频率下高效运行。
该器件还具备较强的抗雪崩能力和热稳定性。其内部结构经过优化，能够在短时间内承受一定的能量冲击，适用于存在感性负载或电压尖峰的应用环境。同时，宽广的工作结温范围（-55℃至+150℃）确保了其在恶劣环境下的可靠性，如高温工业现场或封闭式电源外壳内。TO-220封装不仅便于安装散热器，还提供了良好的电气隔离性能，进一步提升了安全性。
5N70Z主要应用于各类中高功率开关模式电源（SMPS）中，作为主开关管使用，常见于反激式、正激式和半桥拓扑结构。它广泛用于AC-DC电源适配器、充电器、LED照明驱动电源、小型逆变器和工业控制电源模块。由于其700V的高耐压特性，特别适合用于直接连接整流后市电的离线式电源设计，无需额外的降压预处理电路。在家电领域，5N70Z可用于空调、洗衣机、微波炉等设备的辅助电源或主控电源部分。此外，在电机驱动系统中，它可作为低端开关或H桥中的开关元件，用于控制直流电机或步进电机的启停与调速。在太阳能逆变器、UPS不间断电源和电池管理系统中，5N70Z也可用于DC-DC升压或降压环节，实现高效的能量转换。其高可靠性和稳定的电气性能使其成为工业自动化、智能电表、通信电源等对长期稳定性要求较高的领域的优选器件。
KSE5N70Z, FQPF5N70, STP5NK70ZFP, 2SK3562, 2SK2545
