5N65L-TF1-T 时间：2025/5/12 13:36:17 阅读：4

5N65L-TF1-T 是一种 N 没有极型功率场效应晶体管（MOSFET），通常用于高电压、高效率的开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，能够在高频条件下保持较低的导通电阻和快速的开关速度，适用于多种电力电子设备。
　　该型号的 MOSFET 在设计上注重了低栅极电荷和低反向恢复电荷，从而提高了整体效率并减少了开关损耗。其封装形式为 TO-220，便于散热和安装。

参数

最大漏源电压：700V
　　连续漏极电流：6.9A
　　栅源开启电压：4V
　　导通电阻：3.6Ω
　　功耗：185W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

5N65L-TF1-T 的主要特性包括：
　　1. 高电压耐受能力，适合高压电路设计。
　　2. 低导通电阻，减少传导损耗。
　　3. 快速开关速度，降低开关损耗。
　　4. 优异的热稳定性，在高温环境下依然能够保持稳定性能。
　　5. TO-220 封装形式，提供良好的散热性能和机械强度。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无害。
　　7. 耐雪崩能力较强，能够在短时间过载情况下保护电路。

应用

该 MOSFET 常用于以下场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的高频开关。
　　2. 电机驱动器中的功率控制。
　　3. 逆变器电路中的功率转换。
　　4. 荧光灯电子镇流器。
　　5. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
　　6. 太阳能逆变器中的直流到交流转换部分。
　　7. 不间断电源（UPS）系统中的功率输出级。