5N65F 时间：2025/12/28 15:11:06 阅读：12

5N65F 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于电源管理和开关电路中。该器件采用了先进的平面工艺技术，具有较低的导通电阻和高耐压特性，适用于高效能的电源转换应用。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：650V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（PD）：50W

特性

5N65F MOSFET具有较低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其高耐压能力（650V）使其适用于高电压输入的开关电源、DC-DC转换器和逆变器等应用。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性和抗过载能力，在高负载条件下仍能保持稳定工作。TO-220封装形式提供了良好的散热性能，适用于需要较高功率处理能力的电路设计。同时，5N65F具有较高的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬态过电压冲击，增强了器件的可靠性和耐用性。

应用

5N65F广泛应用于各类电源管理系统中，包括开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电机控制电路、电池充电器以及工业自动化设备中的功率开关模块。其高电压和中等电流特性也使其适用于消费类电子产品中的电源转换电路，如电视电源、适配器和电源管理模块等。此外，该器件还可用于光伏逆变器和不间断电源（UPS）等新能源相关设备。