型号：5N60-TC2
　　品牌：UTC（Unisonic Technologies）
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：5A（@Tc=25℃）
　　连续漏极电流（Id RMS）：3.5A（@Tc=100℃）
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.0Ω（@Vgs=10V, Id=2.5A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V～4.0V（@Vds=Vgs, Id=250μA）
　　输入电容（Ciss）：典型值750pF（@Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：典型值180pF（@Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　反向传输电容（Crss）：典型值45pF（@Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　最大功耗（Pd）：50W（@Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C～+150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C～+150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

5N60-TC2采用了UTC成熟的高压MOSFET制造工艺，具备出色的电气性能和热稳定性。其核心优势在于在600V高耐压条件下实现了相对较低的导通电阻，有效减少了导通状态下的功率损耗，从而提升电源系统的整体能效。该器件的Rds(on)典型值低于2.0Ω，在同类产品中表现出较强的竞争力，尤其适合对效率要求较高的开关电源拓扑结构，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）等。得益于优化的晶圆设计和封装工艺，5N60-TC2具有良好的热阻特性，结到壳的热阻（Rθjc）约为2.5°C/W，能够在较高负载下保持较低的工作温度，延长使用寿命并提高系统可靠性。
　　该MOSFET具备优良的开关特性，输入电容和反向传输电容较小，有助于降低驱动损耗和减少高频噪声干扰。同时，其栅极电荷（Qg）较低，典型值在30nC左右（@Vds=480V, Vgs=10V, Id=4A），使得驱动电路设计更为简便，适用于高频PWM控制场景。此外，5N60-TC2内置了快速体二极管，具备一定的抗反向恢复能力，可在非同步整流电路中提供基本的能量回馈路径，避免电压尖峰损坏主控芯片或其他外围元件。
　　在可靠性方面，5N60-TC2通过了严格的工业级测试标准，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）、温度循环（TC）等多项可靠性验证，确保在长期使用过程中性能稳定。其封装采用环保材料，符合RoHS指令要求，并可通过无铅焊接工艺进行自动化生产。器件还具备良好的抗浪涌能力和ESD防护能力，能够在复杂电磁环境中稳定运行。对于需要长时间连续工作的电源设备而言，5N60-TC2提供了高性价比的解决方案，是中小功率开关电源中常用的主力功率开关器件之一。

5N60-TC2广泛应用于各类中小功率开关电源系统中，典型应用场景包括：手机充电器、笔记本电脑适配器、LCD显示器电源模块、LED照明驱动电源、智能家居控制电源、小型家电（如电饭煲、微波炉）中的辅助电源电路、工业控制设备中的隔离电源模块、智能电表电源单元以及各类消费类电子产品的AC-DC或DC-DC转换电路。由于其具备600V高耐压能力，特别适用于全球通用输入电压范围（85VAC～265VAC）的离线式开关电源设计。在反激变换器拓扑中，5N60-TC2常作为主开关管使用，配合PWM控制器实现高效能量传递。此外，该器件也可用于电机驱动、逆变器和UPS不间断电源等需要高可靠功率开关的场合。凭借其良好的性价比和稳定的供货能力，5N60-TC2已成为许多电源设计工程师在入门级至中端产品开发中的首选MOSFET之一。

KIA5N60F\KIA5N60\STP5NK60ZFP\FQP5N60C\TK5A60U