SI3473DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术,具有低导通电阻、高效率和优异的开关性能。其封装形式为 Hot FET? PowerPAK? SO-8L,适用于需要高效能功率转换的应用场景。该器件在消费电子、工业控制以及通信电源等领域有广泛应用。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:29A
导通电阻:1.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷:15nC(典型值)
反向恢复时间:36ns(典型值)
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
SI3473DV-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高效的开关性能,适合高频应用。
3. 小巧的封装设计,能够节省 PCB 空间。
4. 支持高达 175°C 的工作结温,保证了器件在高温环境下的可靠性。
5. 提供出色的热性能和电气性能,适应严苛的工作条件。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 开关电源 (SMPS) 和多相 VRM 应用。
3. 电机驱动和负载开关。
4. 电池保护电路。
5. 电信和网络设备中的功率管理。
6. 工业自动化和控制系统的功率转换模块。
SI3474DS-T1-E3, IRF7772PbF