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SI3473DV-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/6 10:25:49 查看 阅读:5

SI3473DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术,具有低导通电阻、高效率和优异的开关性能。其封装形式为 Hot FET? PowerPAK? SO-8L,适用于需要高效能功率转换的应用场景。该器件在消费电子、工业控制以及通信电源等领域有广泛应用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:29A
  导通电阻:1.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:15nC(典型值)
  反向恢复时间:36ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

SI3473DV-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高效的开关性能,适合高频应用。
  3. 小巧的封装设计,能够节省 PCB 空间。
  4. 支持高达 175°C 的工作结温,保证了器件在高温环境下的可靠性。
  5. 提供出色的热性能和电气性能,适应严苛的工作条件。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. DC-DC 转换器中的同步整流。
  2. 开关电源 (SMPS) 和多相 VRM 应用。
  3. 电机驱动和负载开关。
  4. 电池保护电路。
  5. 电信和网络设备中的功率管理。
  6. 工业自动化和控制系统的功率转换模块。

替代型号

SI3474DS-T1-E3, IRF7772PbF

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SI3473DV-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 7.9A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)