时间：2025/6/6 10:25:49
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SI3473DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻、高效率和优异的开关性能。其封装形式为 Hot FET? PowerPAK? SO-8L，适用于需要高效能功率转换的应用场景。该器件在消费电子、工业控制以及通信电源等领域有广泛应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：29A
导通电阻：1.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：15nC（典型值）
反向恢复时间：36ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SI3473DV-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高效的开关性能，适合高频应用。
3. 小巧的封装设计，能够节省 PCB 空间。
4. 支持高达 175°C 的工作结温，保证了器件在高温环境下的可靠性。
5. 提供出色的热性能和电气性能，适应严苛的工作条件。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 开关电源 (SMPS) 和多相 VRM 应用。
3. 电机驱动和负载开关。
4. 电池保护电路。
5. 电信和网络设备中的功率管理。
6. 工业自动化和控制系统的功率转换模块。
SI3474DS-T1-E3, IRF7772PbF
