类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：500V
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：典型值 3.2Ω（@ VGS=10V）
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：5A（@ TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：20A
　　栅极阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值 1050pF（@ VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：典型值 180pF（@ VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：典型值 95ns
　　最大工作结温（Tj）：150°C
　　封装形式：DPAK (TO-252)
　　功率耗散（Ptot）：70W（@ TC=25°C）

5N50K-MTQ 采用 Nexperia 的先进沟槽式 MOSFET 技术，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡，使其在中高压功率应用中表现出色。其低 RDS(on) 特性确保了在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗，有助于提升电源转换效率并减少散热需求。该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为 45nC（@ VGS=10V），这意味着在高频开关应用中所需的驱动功率更少，有利于简化驱动电路设计并降低整体系统功耗。
　　此外，5N50K-MTQ 具备出色的热稳定性，在不同温度条件下 RDS(on) 的变化较小，确保系统在宽温范围内稳定运行。其封装采用 TO-252 形式，具有良好的热传导性能，可通过 PCB 铜箔或散热器有效散热，满足较高功率密度的设计需求。该器件还通过了 AEC-Q101 认证，表明其具备汽车级可靠性，适用于对长期稳定性要求较高的工业与车载环境。
　　在安全保护方面，5N50K-MTQ 内部结构设计增强了对雪崩击穿的耐受能力，可在突发电压尖峰或感性负载切换时提供更高的鲁棒性，防止器件因瞬态过压而损坏。同时，其体二极管具备较快的反向恢复特性，减少了在桥式电路或续流路径中的反向恢复损耗与电磁干扰（EMI），提升了系统整体的电气性能。综合来看，5N50K-MTQ 是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的中压功率 MOSFET，非常适合用于现代高效能电源管理系统中。

5N50K-MTQ 广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合需要高电压阻断能力和中等电流处理能力的场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS），如 AC-DC 适配器、离线式反激变换器和有源钳位正激转换器，其中其 500V 耐压能力可满足大多数通用输入电压范围（85–265V AC）下的需求。此外，该器件也常用于 DC-DC 升压或降压转换器拓扑中，作为主开关管或同步整流管使用，帮助实现高效率的能量转换。
　　在电机控制领域，5N50K-MTQ 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，承担 PWM 调速与方向控制功能。其快速开关特性和较低的栅极驱动要求使得控制响应更加灵敏，有助于提升运动控制精度。同时，该器件还可作为电子负载开关或热插拔控制器中的主控元件，实现对电源通路的软启动与过流保护。
　　在照明系统中，尤其是 LED 驱动电源，5N50K-MTQ 可用于隔离式或非隔离式拓扑结构中，提供稳定的功率开关功能。其良好的热性能和可靠性确保了灯具在长时间运行下的稳定性。此外，该器件也被用于工业自动化设备、家电控制模块以及电池充电管理系统中，作为关键的功率开关元件。得益于其标准化封装和广泛的供货渠道，5N50K-MTQ 成为许多中低端功率设计中的优选方案之一。

STP5NK50ZFP
　　IRFBC40
　　FQP5N50C
　　KSP5N50K