F2178VTE33 时间：2025/9/7 13:27:35 阅读：14

F2178VTE33 是一款由 Fairchild（飞兆半导体）推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的沟槽式技术，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够满足高效率、高可靠性的需求。该封装形式为 TO-220，适用于各种工业级和消费级的电子设备。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：600 V
　　栅源电压 Vgs：±20 V
　　连续漏极电流 Id：10 A
　　导通电阻 Rds(on)：≤ 0.45 Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散 Pd：125 W

特性

F2178VTE33 具备多项优异的电气特性，首先其导通电阻 Rds(on) 极低，通常小于 0.45 Ω，这使得在导通状态下产生的功耗极低，提高了整体效率。同时，该器件具备较高的耐压能力，漏源电压最大可达 600 V，适用于高压电源应用。
　　此外，F2178VTE33 采用了先进的沟槽式结构技术，使得其在开关过程中具备较高的速度和较低的开关损耗，这对于高频开关电源、DC-DC 转换器等应用尤为重要。栅极驱动电压范围较宽，支持 ±20 V 的栅源电压，使其兼容多种驱动电路设计。
　　该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，确保系统的可靠性。TO-220 封装形式提供了良好的散热性能，适合在中高功率应用场景中使用。F2178VTE33 符合 RoHS 环保标准，无铅封装，适用于现代环保电子产品设计。

应用

F2178VTE33 主要应用于各类电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制电路、电池充电器以及工业自动化设备。由于其具备高耐压、低导通电阻和高开关速度的特点，特别适合用于高频开关电源设计，以提升转换效率并减少发热。
　　在电机控制应用中，F2178VTE33 可作为功率开关，用于控制电机的启停和调速。在 LED 照明驱动电路中，也可作为功率开关元件，实现高效的恒流驱动。此外，在消费类电子产品如电源适配器、充电器、UPS（不间断电源）等设备中也有广泛应用。
　　由于其良好的热稳定性和封装散热性能，F2178VTE33 也适用于环境温度较高或需要长期稳定运行的工业控制设备中，例如工业变频器、PLC 控制系统等。