时间：2025/12/28 15:12:12
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5N100是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率开关电路中。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等特点。5N100通常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及其他需要高效能功率开关的场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：1000V
连续漏极电流（ID）：5A
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(ON)）：约3.5Ω（最大值）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220、TO-251、TO-252等
5N100具有多个优良的电气特性，适用于高要求的功率应用。首先，其高漏源电压（1000V）使其能够承受较高的电压应力，适用于高压电源和转换器设计。其次，该器件的连续漏极电流为5A，能够支持中等功率负载的开关操作。此外，5N100的导通电阻较低，典型值约为3.5Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。
该MOSFET具备良好的热稳定性和耐用性，能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，适应各种严苛环境条件。其封装形式多样，包括TO-220、TO-251和TO-252等，便于在不同电路设计中进行安装和散热管理。
此外，5N100的栅源电压范围为±30V，提供较大的驱动灵活性，并具备较强的抗过压能力。同时，其功率耗散能力为50W，能够在较高负载条件下维持稳定运行。这些特性使5N100成为一款适用于多种功率电子应用的高性能MOSFET。
5N100广泛应用于各类电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED驱动器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高耐压和良好的导通性能，5N100也常用于需要隔离和高效能转换的电源拓扑结构中，如反激式转换器、正激式转换器和同步整流电路等。
在消费类电子产品中，5N100可用于电源管理模块，提供稳定的电压转换和负载开关功能。在工业控制系统中，它可作为电机驱动或继电器替代元件，实现高效的功率控制。此外，在新能源应用如太阳能逆变器和储能系统中，5N100也可用于功率调节和能量转换模块。
IRF740、FQA5N100、STP5NK10Z、2SK2142
