时间：2025/4/28 17:26:31
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5M80ZT100A5N 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要用于开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种工业电子设备中。
该型号属于沟道型 MOSFET，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。其坚固的设计使其在高电流和高频应用场景下表现出色。
类型：MOSFET
封装：TO-247
最大漏源电压（Vdss）：80V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ
总功耗（Ptot）：230W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
5M80ZT100A5N 提供了卓越的电气性能，主要特点如下：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保在高电流操作时降低功耗。
2. 高电流承载能力支持大功率应用。
3. 快速开关速度有助于减少开关损耗并提升整体效率。
4. 良好的热稳定性使器件能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 封装设计优化了散热性能，从而进一步提高了长期工作的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，确保环保与可持续性。
这款 MOSFET 晶体管适用于多种领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 工业电机驱动器中的功率级组件。
3. 新能源逆变器中的关键功率处理单元。
4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统。
5. 大功率 LED 驱动器中的调节和保护电路。
6. 各种工业自动化控制设备中的功率切换模块。
5M80ZT100A6N, IRFP2907, STW92N80Z
