PQ1CZ1 时间：2025/8/28 9:44:56 阅读：2

PQ1CZ1 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET主要用于需要高效率和高性能的电源管理系统中，如DC-DC转换器、电池充电器和负载开关等应用。PQ1CZ1以其小尺寸、低导通电阻以及良好的热稳定性著称，适合用于空间有限但要求高可靠性的电子设备中。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：55mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSMT6

特性

PQ1CZ1 MOSFET具备多个关键特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为55mΩ，当栅极电压为4.5V时能够提供高效的电流传导，从而减少功率损耗并提高整体效率。其次，该器件的最大漏源电压为20V，能够承受较高的电压应力，适用于各种中低压电源转换系统。此外，PQ1CZ1采用TSMT6封装，具有优良的散热性能，可在高电流工作条件下保持稳定运行。该器件的额定功率耗散为2W，能够在有限的散热条件下维持较高的工作稳定性。PQ1CZ1的工作温度范围为-55°C至150°C，表明其在极端温度环境下依然具备良好的性能和可靠性。这使其适用于工业级和汽车电子等对温度适应性要求较高的应用。另外，PQ1CZ1的栅极驱动电压范围为±12V，使其能够兼容常见的驱动电路设计，便于集成到各类电源系统中。综上所述，PQ1CZ1是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，特别适合用于对空间和效率有严格要求的电子设备中。

应用

PQ1CZ1 MOSFET广泛应用于多种电源管理系统中。首先，它常用于DC-DC转换器中，作为高效率的开关元件，用于提升能量转换效率并减少功率损耗。其次，在电池充电器中，PQ1CZ1可用于控制充电电流和电压，确保电池在安全范围内高效充电。此外，该器件也适用于负载开关应用，能够快速控制电源供应，实现设备的节能模式或热插拔功能。PQ1CZ1还适用于工业自动化设备、消费类电子产品以及汽车电子系统中的电源管理模块。由于其良好的热稳定性和宽广的工作温度范围，PQ1CZ1也适合在环境温度变化较大的应用场景中使用。