时间：2025/5/12 21:51:35
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5M570ZT100I5N 是一款由 VISHAY 公司生产的功率 MOSFET 芯片，属于 SiC（碳化硅）材料系列。该器件采用了先进的碳化硅技术，具有高效率、高频开关能力以及出色的耐高温性能。它专为工业应用和汽车级应用设计，能够满足严苛环境下的电力电子需求。
这款功率 MOSFET 在电动汽车、充电桩、太阳能逆变器以及高频 DC-DC 转换器等领域中表现出色，适合需要高功率密度和低损耗的应用场景。
类型：SiC MOSFET
封装：TO-247-4
额定电压：650V
额定电流：80A
Rds(on)：9mΩ
栅极电荷：120nC
最大功耗：350W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
漏源极电压：650V
连续漏极电流：80A
导通电阻：9mΩ
5M570ZT100I5N 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高开关频率支持，适用于高频应用场合，减少磁性元件体积，提升功率密度。
3. 采用碳化硅材料制造，具备优秀的热稳定性和可靠性，能够在高达 175°C 的结温下工作。
4. 符合 AEC-Q101 标准，确保其在汽车应用中的耐用性和一致性。
5. 内置反向恢复二极管功能，有助于降低开关损耗并简化电路设计。
6. 优化了栅极驱动要求，使得驱动设计更加简便。
5M570ZT100I5N 广泛应用于以下领域：
1. 电动汽车牵引逆变器。
2. 快速充电站及车载充电器。
3. 太阳能光伏逆变器与储能系统。
4. 工业电机驱动和变频器。
5. 高效 DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
6. 不间断电源（UPS）和电信电源设备。
由于其出色的性能，该芯片非常适合需要高效率和高可靠性的功率转换应用。
5M570ZT075I5N
5M570ZT150I5N
