5M40ZE64C4N 是一款由三星(Samsung)推出的闪存芯片,主要应用于嵌入式系统、消费类电子产品和工业设备等领域。该型号属于三星的KLM系列存储芯片,基于先进的NAND Flash技术制造,具有高容量、高性能和低功耗的特点。
这款芯片采用BGA封装形式,适合在紧凑型设计中使用,同时提供稳定的读写性能和较长的数据保存周期,能够满足现代电子设备对大容量存储的需求。
容量:64Gb
接口类型:Toggle Mode 2.0
工作电压Vcc:1.8V ± 0.1V
数据传输速率:最高可达400MB/s
封装形式:BGA
引脚数:169
工作温度范围:-25°C ~ +85°C
擦写寿命:3000次(典型值)
5M40ZE64C4N 具有以下显著特点:
1. 高密度存储能力,单颗芯片即可实现大容量数据存储,降低整体系统成本。
2. 支持高速数据传输,采用Toggle Mode 2.0接口协议,能够有效提升系统的响应速度。
3. 节能设计,工作电压为1.8V,有助于延长电池供电设备的续航时间。
4. 稳定性好,在较宽的工作温度范围内保持可靠运行,适用于多种环境条件。
5. 小型化封装,BGA封装形式使其非常适合空间受限的应用场景。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 智能手机和平板电脑等移动终端的内置存储扩展。
2. 数字电视、机顶盒及流媒体播放器等消费类电子产品的大容量数据存储。
3. 工业控制设备中的固件存储和日志记录功能。
4. 可穿戴设备和其他物联网(IoT)产品的存储解决方案。
5. 车载信息系统和导航设备的非易失性存储组件。
KLMAG2GE4A_B021, KLMAG2GE4A_KUM, 5M40ZE64C4R