时间：2025/6/4 11:14:38
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5M40ZE64C4N 是一款由三星（Samsung）推出的闪存芯片，主要应用于嵌入式系统、消费类电子产品和工业设备等领域。该型号属于三星的KLM系列存储芯片，基于先进的NAND Flash技术制造，具有高容量、高性能和低功耗的特点。
这款芯片采用BGA封装形式，适合在紧凑型设计中使用，同时提供稳定的读写性能和较长的数据保存周期，能够满足现代电子设备对大容量存储的需求。
容量：64Gb
接口类型：Toggle Mode 2.0
工作电压Vcc：1.8V ± 0.1V
数据传输速率：最高可达400MB/s
封装形式：BGA
引脚数：169
工作温度范围：-25°C ~ +85°C
擦写寿命：3000次（典型值）
5M40ZE64C4N 具有以下显著特点：
1. 高密度存储能力，单颗芯片即可实现大容量数据存储，降低整体系统成本。
2. 支持高速数据传输，采用Toggle Mode 2.0接口协议，能够有效提升系统的响应速度。
3. 节能设计，工作电压为1.8V，有助于延长电池供电设备的续航时间。
4. 稳定性好，在较宽的工作温度范围内保持可靠运行，适用于多种环境条件。
5. 小型化封装，BGA封装形式使其非常适合空间受限的应用场景。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 智能手机和平板电脑等移动终端的内置存储扩展。
2. 数字电视、机顶盒及流媒体播放器等消费类电子产品的大容量数据存储。
3. 工业控制设备中的固件存储和日志记录功能。
4. 可穿戴设备和其他物联网（IoT）产品的存储解决方案。
5. 车载信息系统和导航设备的非易失性存储组件。
KLMAG2GE4A_B021, KLMAG2GE4A_KUM, 5M40ZE64C4R
