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5M40ZE64C4N 发布时间 时间:2025/6/4 11:14:38 查看 阅读:6

5M40ZE64C4N 是一款由三星(Samsung)推出的闪存芯片,主要应用于嵌入式系统、消费类电子产品和工业设备等领域。该型号属于三星的KLM系列存储芯片,基于先进的NAND Flash技术制造,具有高容量、高性能和低功耗的特点。
  这款芯片采用BGA封装形式,适合在紧凑型设计中使用,同时提供稳定的读写性能和较长的数据保存周期,能够满足现代电子设备对大容量存储的需求。

参数

容量:64Gb
  接口类型:Toggle Mode 2.0
  工作电压Vcc:1.8V ± 0.1V
  数据传输速率:最高可达400MB/s
  封装形式:BGA
  引脚数:169
  工作温度范围:-25°C ~ +85°C
  擦写寿命:3000次(典型值)

特性

5M40ZE64C4N 具有以下显著特点:
  1. 高密度存储能力,单颗芯片即可实现大容量数据存储,降低整体系统成本。
  2. 支持高速数据传输,采用Toggle Mode 2.0接口协议,能够有效提升系统的响应速度。
  3. 节能设计,工作电压为1.8V,有助于延长电池供电设备的续航时间。
  4. 稳定性好,在较宽的工作温度范围内保持可靠运行,适用于多种环境条件。
  5. 小型化封装,BGA封装形式使其非常适合空间受限的应用场景。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 智能手机和平板电脑等移动终端的内置存储扩展。
  2. 数字电视、机顶盒及流媒体播放器等消费类电子产品的大容量数据存储。
  3. 工业控制设备中的固件存储和日志记录功能。
  4. 可穿戴设备和其他物联网(IoT)产品的存储解决方案。
  5. 车载信息系统和导航设备的非易失性存储组件。

替代型号

KLMAG2GE4A_B021, KLMAG2GE4A_KUM, 5M40ZE64C4R

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5M40ZE64C4N参数

  • 产品培训模块Max V Overview
  • 特色产品MAX? V CPLDs
  • 标准包装250
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭嵌入式 - CPLD(复杂可编程逻辑器件)
  • 系列MAX® V
  • 可编程类型系统内可编程
  • 最大延迟时间 tpd(1)7.5ns
  • 电压电源 - 内部1.71 V ~ 1.89 V
  • 逻辑元件/逻辑块数目40
  • 宏单元数32
  • 门数-
  • 输入/输出数54
  • 工作温度0°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳64-TQFP 裸露焊盘
  • 供应商设备封装64-EQFP(7x7)
  • 包装托盘