时间：2025/4/29 14:08:26
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5CEFA5F23I7N 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和信号切换等场景。该器件具有低导通电阻和高开关速度，能够显著提升系统效率并降低功耗。
型号：5CEFA5F23I7N
类型：MOSFET
封装：TO-263
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：40A
导通电阻：1.8mΩ
总耗散功率：125W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
5CEFA5F23I7N 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效减少传导损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用环境。
3. 强大的电流承载能力，支持高达 40A 的持续漏极电流。
4. 宽工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适用于各种严苛的工作条件。
5. 小型化的 TO-263 封装，便于 PCB 布局设计。
6. 内置 ESD 保护功能，提高了系统的可靠性。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的高效电流控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 汽车电子系统中的电池管理系统 (BMS) 和继电器替代方案。
5. 通信设备中的功率放大器和信号调节模块。
5CEFA5F23I7P, IRF540N, FDP5570N
