时间：2025/6/11 17:53:32
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5AGXMB3G4F35C4N 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他功率转换电路中。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，能够在高频工作条件下提供出色的性能。
该型号属于沟道增强型 MOSFET，其设计优化了动态特性和静态特性之间的平衡，能够显著降低功率损耗并提高系统的整体效率。
类型：MOSFET
封装：TO-263 (DPAK)
漏源极电压(Vds)：60V
栅源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：35A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ（最大值，在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：115W
结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
栅极电荷(Qg)：90nC（典型值）
5AGXMB3G4F35C4N 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效减少导通损耗。
2. 高速开关能力，支持高频应用。
3. 良好的热性能，确保在高功率密度下的稳定运行。
4. 小型化的 TO-263 封装，节省 PCB 空间。
5. 高雪崩能量能力，增强器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
这些特性使得该器件非常适合用于需要高效功率转换和空间受限的应用场景。
5AGXMB3G4F35C4N 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
由于其卓越的性能和可靠性，这款 MOSFET 在各种工业和消费类电子产品中都有广泛的应用前景。
5AGXM3G4F35C4N, IRFZ44N, FDP5580
