时间：2025/5/28 21:43:03
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5AGXFB3H4F35I3G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，通常用于高效率电源转换和开关应用。这款芯片采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能等优势。其广泛应用于适配器、充电器、DC-DC转换器等领域，以实现高效、稳定的电力传输。
该型号的命名规则包含了器件的核心特性编码，例如电压等级、封装类型和性能参数等信息。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：0.045Ω
栅极电荷（典型值）：85nC
反向恢复时间：45ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
5AGXFB3H4F35I3G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻使得功耗显著降低，提高整体系统效率。
2. 快速开关速度，有效减少开关损耗并提升高频性能。
3. 高额定电压和大电流能力，适应多种复杂应用场景。
4. 出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行。
5. 采用标准工业封装，便于设计和生产集成。
此外，该芯片还具有良好的电磁兼容性和耐用性，适合在恶劣环境中使用。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），包括AC-DC适配器和充电器。
2. 工业级DC-DC转换器及逆变器。
3. 太阳能微逆变器和能量存储系统。
4. 电机驱动和电子负载控制。
5. 各类需要高效功率转换的应用场景。
5AGXFB3H4F35I2G, 5AGXFB3H4F35I4G
