时间：2025/6/29 6:06:15
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5AGXFB1H4F35I5N 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
型号：5AGXFB1H4F35I5N
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：35A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总栅极电荷(Qg)：80nC
输入电容(Ciss)：1970pF
工作温度范围：-55°C to +175°C
封装形式：TO-247
这款功率MOSFET具有非常低的导通电阻，仅为4.5mΩ，这使得它在大电流应用中表现出色，同时减少了导通损耗。此外，其高开关速度和较小的栅极电荷可以显著提高开关效率，适合高频操作环境。
5AGXFB1H4F35I5N还具有坚固的设计，支持高达+175°C的工作温度范围，适用于严苛的工业和汽车环境。其优化的热性能也保证了长时间运行中的稳定性。
由于采用了最新的半导体技术，该器件具备出色的可靠性和耐用性，并且符合RoHS环保标准。
5AGXFB1H4F35I5N主要应用于需要高效能和高可靠性的领域，包括但不限于以下方面：
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电机驱动电路
- 工业自动化设备中的负载切换
- 新能源汽车的逆变器模块
- 充电器和适配器设计
这些应用场景得益于其低Rds(on)、高电流处理能力和宽泛的工作温度范围，使其成为许多工程师的理想选择。
5AGXFB1H4F35I6P
5AGXFB1H4F35I7Q
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