时间：2025/5/24 12:24:19
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5AGXBA5D4F35C5N 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺，在低导通电阻和高开关速度方面表现出色，同时具有出色的热稳定性和可靠性。其封装形式为 TO-220，便于散热设计和电路布局。
该功率晶体管的主要特点是能够在高频工作条件下提供高效的电力传输，同时保持较低的能量损耗。这使得它成为许多高效率要求应用的理想选择。
型号：5AGXBA5D4F35C5N
类型：MOSFET
极性：N-Channel
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：15A
脉冲漏极电流(Ip)：50A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
栅极电荷(Qg)：65nC
开关时间：开启延迟时间(td(on))=28ns，关断延迟时间(td(off))=35ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：TO-220
5AGXBA5D4F35C5N 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保在大电流应用中降低功耗。
2. 高速开关性能，适用于高频应用场合。
3. 耐用性强，具备良好的短路保护能力。
4. 支持宽泛的工作温度范围，使其适合各种工业和汽车环境。
5. 高可靠性设计确保长期稳定的性能表现。
6. TO-220 封装提供了出色的散热性能，能够满足高功率需求的应用场景。
这款功率晶体管适用于多种电子设备和系统，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机控制和驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率管理。
5. 电池管理系统(BMS) 中的充放电控制。
6. UPS 不间断电源和逆变器设计。
7. 各种需要高效功率转换和控制的场景。
5AGXBA5D4F35C5H, IRFZ44N, FDP55N06L
