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5855BK002 发布时间 时间:2025/7/16 8:57:05 查看 阅读:7

5855BK002是一款高性能的功率MOSFET晶体管,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  该器件通常以TO-220封装形式提供,适用于需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子应用。

参数

类型:功率MOSFET
  极性:N沟道
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ
  总功耗(Ptot):130W
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

5855BK002的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 具备强大的过流保护能力,增强了器件的耐用性和稳定性。
  4. 小型化设计,便于在紧凑空间内使用。
  5. 良好的散热性能,支持长时间高负载运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且兼容多种焊接工艺。

应用

5855BK002广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器,用于汽车电子和通信设备。
  3. 电机驱动电路,如家用电器中的风扇或泵控制。
  4. 负载开关,实现高效的负载管理。
  5. 电池保护和管理系统(BMS),确保电池安全和稳定运行。

替代型号

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP5570N