5855BK002是一款高性能的功率MOSFET晶体管,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够显著提升系统的效率和可靠性。
该器件通常以TO-220封装形式提供,适用于需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子应用。
类型:功率MOSFET
极性:N沟道
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):50A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ
总功耗(Ptot):130W
工作温度范围:-55℃ to 150℃
5855BK002的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高系统效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用环境。
3. 具备强大的过流保护能力,增强了器件的耐用性和稳定性。
4. 小型化设计,便于在紧凑空间内使用。
5. 良好的散热性能,支持长时间高负载运行。
6. 符合RoHS标准,环保且兼容多种焊接工艺。
5855BK002广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),如适配器和充电器。
2. DC-DC转换器,用于汽车电子和通信设备。
3. 电机驱动电路,如家用电器中的风扇或泵控制。
4. 负载开关,实现高效的负载管理。
5. 电池保护和管理系统(BMS),确保电池安全和稳定运行。
IRF540N
STP55NF06L
FDP5570N