时间：2025/9/8 2:34:21
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580LSU1800MNB64X139是一种高性能、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，专为需要高速数据访问和可靠存储的应用而设计。该芯片采用先进的CMOS技术制造，具有高稳定性和低功耗特性，适用于工业控制、通信设备、计算机系统和其他嵌入式应用。
容量：18Mbit
组织结构：512K x 36
电源电压：1.8V
访问时间：6.5ns（最大）
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：64引脚mBGA
功耗：典型电流约180mA（待机模式下低于10mA）
时钟频率：最大可达166MHz
580LSU1800MNB64X139具有多项突出特性，适用于高性能存储需求场景。首先，其高速访问时间（6.5ns）和高达166MHz的时钟频率使其能够满足高速缓存和实时数据处理的要求。其次，1.8V的低电压设计不仅降低了功耗，还提高了系统的能效，适用于对能耗敏感的应用。此外，该芯片采用64引脚mBGA封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。工作温度范围为-40°C至+85°C，支持工业级环境下的稳定运行。SRAM的非易失性读写特性确保了数据的快速存取，无需刷新机制，提高了系统可靠性。最后，该芯片内置低功耗待机模式，在不需要频繁访问时可大幅降低能耗，延长设备续航时间。
该芯片广泛应用于需要高速、低功耗存储的场景，如网络设备中的缓存存储、工业控制系统中的数据缓冲、通信模块的临时存储、测试仪器的高速数据记录以及高端嵌入式系统的主存或高速缓存。此外，它也可用于航空航天、汽车电子等对稳定性和可靠性要求极高的领域。
CY7C1800V18-6.5NSXCT, IDT71V4180SA6.5Y
