时间：2025/9/21 8:08:03
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55GN01C-TB-E 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor（AOS）生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的沟槽栅极和场截止技术制造，专为高效率、高密度电源转换应用设计。该器件封装在紧凑的 TSDSON-8 封装中，具有低热阻特性，有助于在高功率密度应用中实现有效的散热管理。55GN01C-TB-E 主要面向 DC-DC 转换器、同步整流、电机驱动以及电源管理系统等应用场景，尤其适用于对空间和效率有严格要求的设计。该 MOSFET 在设计上优化了开关性能与导通损耗之间的平衡，使其能够在高频工作条件下仍保持较低的总功耗。此外，器件符合 RoHS 环保标准，并具备高可靠性，适合工业级温度范围内的稳定运行。得益于 AOS 在功率半导体领域的深厚积累，55GN01C-TB-E 在性能、成本和封装尺寸之间实现了良好折衷，是现代高效电源系统中的理想选择之一。
型号：55GN01C-TB-E
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：55V
连续漏极电流 Id：37A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流 Idm：148A
导通电阻 Rds(on)：6.7mΩ @ Vgs=10V
导通电阻 Rds(on)：8.5mΩ @ Vgs=4.5V
栅极阈值电压 Vgs(th)：2.0V（典型值）
输入电容 Ciss：2100pF @ Vds=25V
输出电容 Coss：650pF @ Vds=25V
反向恢复时间 trr：15ns
二极管正向电压 Vf：1.2V
最大工作结温 Tj：150°C
封装类型：TSDSON-8
安装类型：表面贴装
极性：增强型
通道数：单通道
55GN01C-TB-E 采用了 AOS 先进的沟槽栅极技术和场截止结构，显著降低了导通电阻 Rds(on)，同时优化了开关行为，从而有效减少了导通损耗和开关损耗。其典型的 Rds(on) 值在 Vgs=10V 下仅为 6.7mΩ，在同类 55V 器件中处于领先水平，这使得它在大电流应用中能够显著降低功率损耗，提升整体系统效率。此外，该器件在 Vgs=4.5V 下仍能保持 8.5mΩ 的低导通电阻，表明其具备良好的低压驱动能力，兼容现代低电压控制 IC，如 PWM 控制器或栅极驱动器。
器件的输入电容（Ciss）为 2100pF，输出电容（Coss）为 650pF，这些电容值在保证足够驱动能力的同时，避免了过高的栅极电荷（Qg），从而降低了驱动损耗，提高了高频开关应用中的效率表现。反向恢复时间 trr 为 15ns，说明其体二极管具有较快的恢复特性，有助于减少在同步整流或桥式电路中的反向恢复损耗和电压尖峰，提高系统可靠性。
TSDSON-8 封装具有较小的外形尺寸（约 3mm x 3mm），且底部带有散热焊盘，可直接连接到 PCB 的地层进行高效散热，热阻 θjc（结到壳）较低，有利于在高功率密度环境中维持稳定的结温。该器件的工作结温范围可达 -55°C 至 150°C，满足严苛的工业环境要求。此外，产品通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试，确保长期使用的稳定性。
55GN01C-TB-E 广泛应用于需要高效率和高功率密度的电源系统中。其主要应用领域包括同步降压转换器，尤其是在服务器、通信设备和 FPGA 供电的多相 VRM（电压调节模块）中，作为下管或上管使用，利用其低 Rds(on) 和优异的开关性能实现高效能量转换。在直流-直流（DC-DC）电源模块中，该器件可用于隔离和非隔离拓扑的主开关或同步整流开关，显著提升转换效率并减小散热需求。
此外，该 MOSFET 也适用于电池供电系统，如便携式医疗设备、电动工具和无人机电源管理单元，其中对体积和能效的要求极为严格。在电机驱动应用中，55GN01C-TB-E 可用于 H 桥或半桥拓扑中的功率开关，提供快速响应和低导通压降，从而减少发热并延长电池续航时间。
由于其良好的热性能和紧凑封装，该器件还适合用于空间受限的消费电子产品，如高端笔记本电脑适配器、LED 驱动电源和 USB-PD 快充模块。在工业自动化领域，它可用于 PLC 输出模块、传感器电源和继电器驱动电路中，提供可靠且高效的功率控制能力。总之，凡是需要在有限空间内实现高效、大电流功率开关的应用场景，55GN01C-TB-E 都是一个极具竞争力的选择。
AOZ5511CN
