时间：2025/4/30 16:37:41
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SEBLC20CI是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率开关的应用场景中。其主要特点是低导通电阻和高电流承载能力，能够在高频开关条件下保持良好的性能。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
栅极阈值电压：2V~4V
功耗：115W
工作温度范围：-55℃~150℃
SEBLC20CI具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 内置反向恢复二极管，优化续流路径。
4. 强大的电流承载能力，确保在重载条件下的稳定性。
5. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
SEBLC20CI适用于多种电力电子领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的主开关元件。
3. 各类电机驱动电路中的功率级控制。
4. 继电器驱动及负载切换。
5. 电池管理系统中的充放电控制开关。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
IRFZ44N
STP19NF06L
FDP5500
