53D122K 是一种常见的陶瓷电容器型号,通常用于电子电路中的去耦、滤波和信号耦合等应用。该器件由陶瓷介质和金属电极构成,具有较高的稳定性和可靠性,适用于多种电子设备。
电容值:1200pF(122表示12×102pF)
容差:±10%
额定电压:50V
温度系数:X7R(-55°C至+125°C范围内稳定)
封装形式:贴片(SMD)
尺寸:通常为0805(2.0mm x 1.25mm)
稳定性高:采用X7R陶瓷材料,具有良好的温度稳定性,适用于对电容值变化要求不高的电路应用。
高频性能好:由于其低等效串联电感(ESL)和低等效串联电阻(ESR),适合用于高频电路中的旁路和去耦。
小型化设计:采用贴片封装,适合现代电子设备中空间受限的设计需求。
可靠性强:陶瓷电容器具有较长的使用寿命和较高的抗环境应力能力,适用于工业和汽车电子应用。
成本效益高:作为标准电容器,53D122K在制造工艺和成本控制方面具有优势,广泛应用于各种电子设备中。
去耦电容:用于电源和地之间,滤除高频噪声,保证集成电路的稳定工作。
信号耦合:用于模拟和数字信号之间的耦合,隔离直流成分,传递交流信号。
滤波电路:在电源滤波和信号处理电路中用于滤除特定频率范围的干扰。
振荡器电路:与晶体或陶瓷谐振器一起使用,提供稳定的振荡频率。
汽车电子:由于其良好的温度特性和可靠性,广泛应用于车载电子系统中。
C0805C122K5RACTU(Kemet)
CL21B122KBANNE(Samsung)
EMK212BJ122KG-TF(Taiyo Yuden)