型号：5302DG-AA3-R
　　制造商：Microchip Technology
　　产品系列：MICROCHIP 5302DG-AA3-R
　　类型：隔离式栅极驱动器
　　通道数：2
　　隔离电压：5000 VRMS
　　最大数据速率：2 Mbps
　　传播延迟：55 ns（典型值）
　　上升时间：15 ns（典型值）
　　下降时间：12 ns（典型值）
　　输入类型：CMOS/TTL 兼容
　　供电电压（VDD1）：2.7V ~ 5.5V
　　供电电压（VDD2）：9V ~ 20V
　　输出电流：最高达 2.5A 峰值
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装/包装：8-SOIC（0.370"，9.40mm 宽体）
　　认证标准：UL1577，IEC/EN/DIN EN 60747-17

5302DG-AA3-R 具备卓越的电气隔离性能和高噪声抗扰度，采用先进的电容隔离技术，在保证高耐压的同时实现了优异的共模瞬态抗扰度（CMTI），典型值超过 100 kV/μs，能够在高压开关环境中稳定传输控制信号，避免因电压突变导致误触发或逻辑错误。这种高 CMTI 特性使其特别适用于使用 SiC 或 GaN 等宽禁带半导体器件的高速开关电路中，这些器件在快速切换时会产生极高的 dv/dt 干扰，传统驱动器容易失效，而 5302DG-AA3-R 能够可靠地抵御此类干扰，确保驱动信号的完整性。
　　该器件具有极低的传播延迟和通道间延迟匹配精度，典型传播延迟仅为 55 ns，通道间偏差小于 5 ns，这使得两个输出通道能够高度同步，对于需要精确死区时间控制的半桥或全桥拓扑至关重要，有助于减少交叉导通风险并提高整体能效。同时，其高速响应能力支持高达 2 Mbps 的数据速率，适合用于高频 PWM 控制场景，如数字电源和伺服驱动系统。
　　5302DG-AA3-R 的输入端兼容 CMOS 和 TTL 电平，便于与各种微控制器、DSP 或 FPGA 直接接口，无需额外的电平转换电路。输出级设计优化了驱动能力，峰值拉电流和灌电流均达到 2.5A，可快速充放电功率管的栅极电容，缩短开关过渡时间，降低开关损耗。内置的欠压锁定（UVLO）功能会监测次级侧供电电压，当 VDD2 低于安全阈值时自动关闭输出，防止 IGBT 或 MOSFET 工作在线性区造成过热损坏。
　　此外，芯片集成防直通（anti-shoot-through）逻辑，即使在输入信号异常或噪声干扰下也能确保上下管不会同时导通，显著提升系统安全性。热关断保护功能可在芯片温度过高时自动切断输出，待温度恢复后自动重启，增强了系统的鲁棒性。所有这些保护机制均无需外部元件即可实现，简化了设计复杂度并节省 PCB 面积。

5302DG-AA3-R 广泛应用于各类需要电气隔离和高可靠性的功率控制系统中。在工业电机驱动领域，它常被用于三相逆变器中驱动 IGBT 模块，实现对交流电机的精准矢量控制。在新能源发电系统中，特别是在光伏并网逆变器和储能变流器中，该器件因其高 CMTI 和快速响应能力，能够有效应对 DC-AC 变换过程中的高频干扰和快速切换需求，保障系统高效稳定运行。
　　在电动汽车相关设备中，5302DG-AA3-R 可用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的 PFC（功率因数校正）级及 DC-DC 变换器中，驱动 SiC MOSFET 实现高效率能量转换。其宽体封装和 5 kVRMS 隔离电压满足汽车级电气安全规范，适用于高压电池管理系统中的信号隔离环节。
　　在工业电源领域，尤其是在大功率开关电源（SMPS）和 UPS（不间断电源）系统中，该芯片可用于驱动 LLC 谐振变换器或移相全桥拓扑中的功率开关，提供可靠的隔离驱动解决方案。此外，在医疗电源、测试测量仪器和智能电网设备中，由于对绝缘等级和电磁兼容性有严格要求，5302DG-AA3-R 也表现出色，成为许多设计师首选的隔离驱动方案之一。

5302DG-AA3-T
　　5302DR-1T