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52MT120K 发布时间 时间:2025/12/26 20:16:39 查看 阅读:13

52MT120K是一款由Vishay Siliconix公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,采用双共阴极配置,专为高频开关电源、DC-DC转换器以及反向电压保护等应用设计。该器件集成两个独立的肖特基二极管于单一封装内,具备低正向压降和快速恢复特性,能有效提升系统效率并减少热损耗。其型号中的'52MT'代表系列与封装类型,'120'表示额定反向重复电压为120V,'K'为产品识别后缀。52MT120K适用于对空间和散热有严格要求的便携式电子设备和高密度电源模块中。该器件符合RoHS环保标准,并具有良好的可靠性和长期稳定性,适合在工业、消费类及通信类电子产品中广泛应用。

参数

类型:肖特基势垒二极管阵列
  配置:双共阴极(Dual Common Cathode)
  最大反向重复电压(VRRM):120 V
  平均整流电流(Io):1.0 A(每芯片)
  峰值正向浪涌电流(IFSM):30 A(8.3ms单半波)
  最大正向压降(VF):0.62 V(在1.0 A, 25°C条件下)
  最大反向漏电流(IR):200 μA(在120 V, 25°C);10 mA(在120 V, 125°C)
  工作结温范围(TJ):-55 °C 至 +150 °C
  存储温度范围(TSTG):-65 °C 至 +150 °C
  封装形式:TO-252AA(D-Pak)
  安装方式:表面贴装(SMD)
  引脚数:3
  热阻(RθJA):约60 °C/W(典型值,依PCB布局而定)
  反向恢复时间(trr):典型值小于10 ns
  符合标准:RoHS合规,无卤素(Halogen Free)

特性

52MT120K的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术,这种结构利用金属-半导体结代替传统的PN结,从而实现了极低的正向导通压降和近乎瞬时的开关响应能力。由于没有少数载流子的存储效应,该器件在高频开关环境下几乎不产生反向恢复电荷,显著降低了开关损耗和电磁干扰(EMI),这对于提高DC-DC转换器的整体能效至关重要。其双共阴极设计允许在同步整流拓扑或双路输出电源中实现紧凑布局,节省宝贵的PCB空间。
  该器件的热性能表现优异,TO-252AA封装具备较大的散热焊盘,可通过PCB上的热过孔将热量有效传导至内层或底部,提升功率处理能力。即使在高温环境(如125°C结温)下,反向漏电流仍保持在可控范围内(不超过10mA),确保系统在恶劣工况下的可靠性。此外,其高达150°C的最大工作结温允许在高负载条件下持续运行,适用于车载电子、工业控制等对温度敏感的应用场景。
  机械方面,TO-252AA是一种广泛使用的表面贴装封装,兼容自动化贴片工艺,便于大规模生产。器件通过AEC-Q101可靠性认证的可能性较高(需查阅具体数据手册确认),增强了其在汽车电子领域的适用性。同时,低寄生电感和电容的设计有助于维持高速开关性能,避免振铃和电压尖峰问题。整体而言,52MT120K在效率、尺寸、热管理和可靠性之间实现了良好平衡,是现代高效电源设计中的理想选择之一。

应用

52MT122K广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电源电路中。典型应用场景包括DC-DC升压/降压转换器中的续流二极管或输出整流二极管,尤其适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的电源管理单元。在服务器和通信设备的多相电压调节模块(VRM)中,该器件可作为同步整流的辅助二极管,用于防止体二极管导通,提升轻载效率。
  在电池供电系统中,52MT120K可用于电池反接保护或双电源切换电路,利用其低正向压降低功耗特性延长续航时间。太阳能充电控制器、LED驱动电源和小型逆变器也常采用此类肖特基二极管以减少能量损失。此外,在电机驱动电路中,它可作为感应负载的续流路径,抑制关断时产生的反电动势对主开关器件造成损害。
  工业自动化设备中的PLC模块、传感器供电电路以及隔离式电源次级侧整流同样受益于该器件的高可靠性与快速响应能力。由于其表面贴装特性,非常适合高密度混装板设计,支持回流焊工艺,满足现代电子产品小型化和自动化生产的需求。在汽车电子领域,如车载信息娱乐系统、ADAS模块或车身控制模块的电源部分,52MT120K也能提供稳定可靠的整流功能,尤其是在48V轻混系统或12V辅助电源中表现出色。

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