类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：50A（最大值）
　　漏-源电压（VDS）：100V（最大值）
　　栅-源电压（VGS）：±20V（最大值）
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.018Ω（典型值）
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

50YXJ100MCE8X11.5 MOSFET具备多项优异特性，适用于各种高功率应用场景。其低导通电阻（RDS(on)）能够有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的高电流容量使其能够在重载条件下稳定工作。该MOSFET采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能，适用于高密度电路设计。同时，其额定漏-源电压为100V，可承受较高的电压应力，适用于需要较高电压耐受能力的电路。此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在较高温度环境下正常运行。50YXJ100MCE8X11.5还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度并减少开关损耗。这些特性使其在电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等应用中表现出色。
　　该MOSFET的栅极驱动要求较低，通常可以由标准的逻辑电平直接驱动，简化了外围驱动电路的设计。同时，其内部结构优化了电场分布，提高了器件的可靠性和耐用性。在极端条件下，如短路或过载情况下，该器件仍能保持较高的稳定性和抗损坏能力。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品设计。

50YXJ100MCE8X11.5 MOSFET广泛应用于各种高功率电子设备，包括电源管理系统、电机驱动器、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、负载开关、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及高功率LED照明系统等。此外，该器件还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车用DC-DC转换器等。由于其具备优异的导通特性和较高的热稳定性，因此在需要高效率和高可靠性的应用中表现出色。在电机控制应用中，该器件可用于H桥驱动电路，实现电机的正反转控制。在电源管理系统中，它可用于负载开关、电流调节以及过载保护电路。在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为主开关元件，实现高效的电压转换。此外，在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制，提高系统的整体效率和安全性。

SiHH50N100E、IRF540N、FDP50N10、STP55NF06L、IRLZ44N