类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：最大16A
　　漏极-源极电压（VDS）：最大100V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.04Ω（典型值）
　　功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

2N5516 MOSFET具有多项优异的电气和热性能特点。其高电流容量（最大16A）使其适用于高功率应用，同时具备较低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。此外，该器件具有较高的击穿电压（100V），能够在较宽的电压范围内稳定工作。其TO-220封装设计不仅便于安装，还提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下的可靠性。该MOSFET还具备快速开关特性，适合用于高频开关电路。其栅极驱动特性稳定，栅极电荷较低，能够减少开关延迟并提高响应速度，适用于各种电源管理和功率转换应用。
　　在可靠性方面，2N5516具有较强的抗过载能力，能够在短时过载条件下保持正常工作。此外，其结构设计有助于减少寄生电容效应，提高高频性能。由于其优良的热稳定性，该MOSFET在高温环境下仍能保持稳定运行，适合用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中。

2N5516 MOSFET常用于多种功率电子系统中。在电源管理方面，它可用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）以及电池管理系统。在电机控制领域，该器件适用于直流电机驱动器、步进电机控制器以及无刷电机控制电路。此外，它还可用于音频功率放大器、逆变器、UPS不间断电源、LED照明驱动电路以及各种工业自动化设备中的开关控制模块。在汽车电子中，2N5516可用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）以及其他车载功率控制装置。

IRFZ44N, IRF540N, FQP50N06, STP16NF06