型号：50N06G-TN3-R
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(Vdss)：60V
　　连续漏极电流(Id)：50A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Idm)：200A
　　导通电阻(Rds(on))：18mΩ @ Vgs=10V, Id=25A
　　导通电阻(Rds(on))：23mΩ @ Vgs=4.5V, Id=25A
　　栅源阈值电压(Vgs(th))：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷(Qg)：47nC @ Vgs=10V
　　输入电容(Ciss)：2300pF @ Vds=30V
　　反向恢复时间(Trr)：28ns
　　最大功耗(Pd)：125W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN5x6

50N06G-TN3-R采用了AOS成熟的沟槽式MOSFET工艺，这种结构通过优化单元密度和电场分布，在保证高电流承载能力的同时显著降低了导通电阻。其典型Rds(on)仅为18mΩ（在Vgs=10V条件下），这意味着在大电流应用中能大幅减少I2R损耗，提升系统能效。器件的低栅极电荷（Qg=47nC）使其在高频开关环境下仍能保持较低的驱动损耗，特别适用于高频率DC-DC变换器如Buck、Boost和同步整流拓扑结构。此外，该MOSFET具备良好的跨导（gm）和稳定的阈值电压特性，确保了在不同负载条件下的稳定开关行为。
　　该器件的封装采用DFN5x6小型无铅封装，底部带有散热焊盘，可通过PCB有效导热，实现优异的热管理性能。相比传统SO-8封装，DFN封装具有更低的寄生电感和更高的功率密度，有助于抑制开关过程中的电压振铃现象，提升EMI性能。同时，该封装支持回流焊工艺，兼容现代SMT生产线，适合自动化大规模装配。
　　50N06G-TN3-R还具备出色的动态性能，包括快速的开关速度和较短的反向恢复时间（Trr=28ns），这对于防止体二极管反向恢复引起的额外损耗至关重要，尤其是在半桥或全桥电路中。其内置的体二极管具有较高的耐流能力和稳定性，能够在瞬态负载切换时提供可靠的续流路径。此外，该器件通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其在温度循环、高温反偏、湿度敏感性等方面均满足汽车电子应用的严苛要求，可应用于车载电源系统。
　　从保护特性来看，50N06G-TN3-R具有良好的雪崩能量承受能力，能够在意外过压或电感负载突变情况下避免永久性损坏。其最大工作结温可达150°C，并配备过温降额曲线指导设计者进行热设计，从而在各种环境条件下维持长期运行的可靠性。综上所述，50N06G-TN3-R是一款集低导通电阻、高开关速度、良好热性能和高可靠性于一体的先进功率MOSFET，适用于现代高效能电源系统的设计需求。

50N06G-TN3-R广泛应用于多种电力电子领域，尤其适合需要高效率和高功率密度的场合。典型应用包括同步整流型DC-DC降压（Buck）和升压（Boost）转换器，其中其低Rds(on)和快速开关特性可显著降低传导和开关损耗，提高转换效率。在便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中，该器件常用于电池充放电控制、负载开关和电源路径管理模块，确保在有限空间内实现高效的电能分配。
　　在电机驱动应用中，50N06G-TN3-R可用于驱动直流有刷电机或作为H桥电路中的开关元件，凭借其高电流处理能力和快速响应特性，能够实现精确的速度和方向控制。此外，在LED照明驱动电源中，该MOSFET可用作主开关管或同步整流管，提升恒流输出精度并减少发热。
　　该器件也适用于工业电源系统，如工业DC-DC模块、UPS不间断电源和电信整流器等，其高可靠性和宽温度工作范围使其能在恶劣环境下稳定运行。由于通过AEC-Q101认证，50N06G-TN3-R还可用于汽车电子系统，例如车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电动座椅和车灯控制模块等，满足汽车行业对长寿命和高安全性的要求。
　　在消费类家电中，如智能家电的电机控制板、电磁炉和空气净化器的电源部分，50N06G-TN3-R同样表现出色。其小型化封装有助于缩小PCB面积，适应紧凑型产品设计趋势。总体而言，该器件凭借其优异的电气性能和封装优势，成为众多中低压大电流开关应用中的理想选择。

[
　　 "AOTF5N06L",
　　 "AOZ6311AN",
　　 "SISS10DN,DMN61D8000U"
　　]