类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：60V
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：典型值45mΩ（在VGS=10V，ID=25A条件下）
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　连续漏极电流（ID）：50A（TC=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：200A
　　最大功耗（PD）：230W（TC=25℃）
　　工作结温范围（TJ）：-55℃ ~ +175℃
　　存储温度范围（TSTG）：-55℃ ~ +175℃
　　输入电容（Ciss）：约3800pF（在VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz下测得）
　　输出电容（Coss）：约950pF
　　反向传输电容（Crss）：约240pF
　　栅极总电荷（Qg）：约105nC（在VGS=10V，ID=25A条件下）
　　上升时间（tr）：约50ns
　　下降时间（tf）：约30ns

50N06-F具备出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻确保了在大电流工作状态下仍能保持较低的导通损耗，有效提升电源系统的整体效率。在VGS=10V时，RDS(on)典型值仅为45mΩ，这意味着在25A负载电流下，导通压降仅约1.125V，对应的功率损耗为28.125W，相较于同类产品具有明显的节能优势。这种低阻特性尤其适用于高效率DC-DC变换器和同步整流电路中，能够显著减少发热，延长系统寿命。
　　该器件采用优化的晶圆工艺和封装设计，具备良好的热传导性能。TO-220或D2PAK封装形式使其能够通过散热片有效将芯片热量传递至外部环境，从而支持长时间高负荷运行。同时，其最大结温可达175℃，表明其在高温工业环境中依然具备可靠的工作能力。这一特性对于需要在恶劣环境下稳定运行的应用（如车载设备或工业控制模块）尤为重要。
　　50N06-F还表现出优异的开关速度，得益于较低的栅极电荷（Qg≈105nC）和合理的电容匹配，使得驱动电路所需提供的驱动功率较小，兼容多种常见驱动IC。其输入电容Ciss约为3800pF，输出电容Coss约为950pF，反向传输电容Crss约为240pF，这些参数保证了在高频开关应用中仍能维持良好的动态响应，减少开关延迟和交叉导通风险。
　　此外，该MOSFET具备较强的抗过载和抗瞬态冲击能力，内部结构设计考虑了雪崩耐量，能够在突发短路或电感反冲电压出现时提供一定程度的自我保护。虽然未明确标注为“雪崩额定”器件，但在合理使用条件下仍具备一定的鲁棒性。综合来看，50N06-F是一款性价比高、适用范围广的中压N沟道MOSFET，适合对成本敏感但又要求一定性能水平的设计方案。

50N06-F广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。在开关模式电源（SMPS）领域，它常被用作主开关管或同步整流管，特别是在60V以下的低压输入场景中表现优异，例如12V/24V工业电源、通信电源模块等。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为Buck、Boost及Flyback拓扑中的理想选择。
　　在DC-DC转换器中，50N06-F可用于非隔离式降压或升压电路，尤其是在多相并联设计中，多个器件并联可进一步降低等效导通电阻，提升系统效率和散热冗余。这类应用常见于服务器电源、嵌入式系统供电单元及新能源设备中。
　　电机驱动是另一个重要应用场景。50N06-F可用于小型直流电机、步进电机或无刷电机的H桥驱动电路中，作为上下桥臂开关元件。其快速开关特性和较高电流容量能够满足电机启动、调速和制动过程中的动态需求，同时具备一定的抗反电动势能力。
　　此外，该器件也适用于LED恒流驱动电源、电焊机、逆变器、电动自行车控制器、UPS不间断电源以及汽车电子中的辅助电源模块。在消费类电子产品中，如大功率充电器、适配器中也有广泛应用。由于其封装标准化，易于替换和维护，因此在维修市场中也较为常见。

IRFZ44N, FQP50N06L, STP55NF06, IRLZ44N, NTD50N06L