时间：2025/5/23 19:21:34
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50N03是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型器件。该元器件主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域，具有高效率、低导通电阻和快速开关速度的特点。
50N03的设计使其能够在较高的电流和电压条件下工作，同时保持较低的功耗，非常适合需要高性能功率转换的应用场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：27A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：45nC
开关频率：高达500kHz
结温范围：-55℃至175℃
50N03拥有非常低的导通电阻，这使得其在大电流应用中表现出色，能够显著降低功率损耗。此外，它具备快速开关能力，适合高频操作环境。
该芯片采用TO-247封装形式，散热性能良好，便于集成到各种功率电子设备中。其耐高温特性和可靠性也使其成为工业级应用的理想选择。
由于其优良的电气性能和热性能，50N03可以用于要求严格的功率管理场景，例如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及电动车控制器等。
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