类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：60 V
　　最大连续漏极电流（ID）：50 A
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1 V @ 250 μA
　　导通电阻（RDS(on)）：6.0 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 25 A
　　导通电阻（RDS(on)）：7.8 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 25 A
　　栅极电荷（Qg）：37 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容（Ciss）：2090 pF @ VDS = 30 V
　　反向恢复时间（trr）：38 ns
　　功率耗散（PD）：48 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L

50MT060ULST采用Vishay成熟的TrenchFET?沟槽式MOSFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其核心优势之一是超低的RDS(on)，在VGS = 10 V条件下仅为6.0 mΩ，这显著降低了导通损耗，尤其在大电流应用场景下可大幅提高系统效率。同时，在VGS = 4.5 V时仍能保持7.8 mΩ的低导通电阻，使其兼容低电压逻辑驱动电路，如3.3 V或5 V控制器，增强了系统的通用性和灵活性。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg = 37 nC），有助于减少驱动损耗并加快开关速度，从而降低开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电源设计。输入电容Ciss为2090 pF，在同类产品中处于领先水平，进一步优化了高频响应能力。此外，其较短的反向恢复时间（trr = 38 ns）减少了体二极管在同步整流等应用中的反向恢复电荷，降低了交叉导通风险和电磁干扰（EMI），提升了系统可靠性。
　　PowerPAK SO-8L封装不仅尺寸紧凑（典型为3.3 mm x 3.3 mm），还采用了无引线设计，有效降低了寄生电感和热阻，提高了功率密度和散热效率。该封装支持双面冷却，在高功率密度板级设计中表现出色。器件的热阻（RθJA）约为2.6 °C/W（安装在4层JEDEC板上），确保在持续高负载下也能维持较低的工作温度。
　　50MT060ULST具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，能够在瞬态过压和电流冲击下保持稳定运行，适用于汽车电子、工业控制等对可靠性要求较高的领域。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，满足严苛环境下的使用需求。此外，该器件符合RoHS指令，不含铅和有害物质，支持绿色环保制造流程。

50MT060ULST广泛应用于需要高效能、小体积和高可靠性的电力电子系统中。常见用途包括同步降压转换器中的主开关或整流开关，特别是在服务器、笔记本电脑、路由器等设备的多相VRM（电压调节模块）设计中表现优异。由于其低RDS(on)和快速开关特性，它也适用于负载开关电路，用于控制电源路径通断，防止浪涌电流并实现节能管理。
　　在电机驱动应用中，该MOSFET可用于H桥或半桥拓扑结构，驱动直流电机或步进电机，提供高效的能量传输和精确的速度控制。此外，在电池管理系统（BMS）中，它可以作为充放电控制开关，确保电池组的安全运行。
　　该器件还可用于DC-DC升压或SEPIC转换器的功率级，以及热插拔控制器中的功率通断元件。在电信设备、网络基础设施和工业电源模块中，50MT060ULST凭借其高功率密度和稳定性，成为设计师优选的功率开关器件。

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　　 "SiR144DP",
　　 "IRLHS6296",
　　 "CSD16404Q5",
　　 "FDML86260"
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