电容值：22pF
　　容差：±0.5pF
　　额定电压：50V
　　温度系数：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
　　介质材料：陶瓷（C0G/NP0）
　　绝缘电阻：≥10000MΩ
　　时间常数：≥100000s
　　老化率：0%/decade
　　等效串联电阻（ESR）：≤10mΩ
　　自谐振频率（SRF）：≥1.5GHz

50CER22LD陶瓷电容器的核心特性之一是其采用C0G（也称为NP0）温度系数的陶瓷介质材料，这种材料具有极高的温度稳定性，在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）电容值的变化不超过±30ppm/°C，几乎可以视为零漂移。这意味着无论环境温度如何变化，电容器的电容值都能保持高度稳定，非常适合用于对频率稳定性要求极高的振荡电路、滤波器和定时电路中。
　　另一个显著特点是其优异的电气性能，包括极低的介质损耗（tanδ ≤ 0.1%）和高绝缘电阻（≥10000MΩ），这使得该电容器在长时间运行中能够有效减少能量损耗并防止漏电流引起的信号失真。同时，由于其老化率几乎为零（0%/decade），在使用寿命内无需担心因材料老化而导致的性能下降问题，极大提升了系统的长期可靠性。
　　结构上，50CER22LD采用多层叠片式设计，内部由多个陶瓷介质层与金属电极交替堆叠而成，这种结构不仅提高了单位体积内的电容密度，还显著降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），从而增强了其在高频应用下的表现。其自谐振频率可达1.5GHz以上，使其在GHz级别的射频电路中仍能保持良好的去耦效果，广泛应用于高速数字IC的电源去耦、RF匹配网络和高频旁路场合。
　　此外，该器件符合RoHS环保标准，采用无铅兼容端接电极，支持回流焊工艺，适用于自动化贴片生产线。其机械强度高，抗热冲击能力强，能够在多次温度循环后仍保持电气性能稳定，适合用于汽车电子、航空航天、医疗设备等对可靠性要求严苛的应用场景。

50CER22LD因其卓越的温度稳定性和高频性能，广泛应用于各类高精度模拟电路和高频数字系统中。常见用途包括但不限于：射频（RF）收发模块中的阻抗匹配网络，用于确保信号传输的最大功率和最小反射；在压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）和晶体振荡器电路中作为稳定电容，以维持频率精度；在高速微处理器、FPGA和ASIC的电源引脚处进行高频去耦，有效滤除电源噪声，保障核心逻辑电路的稳定运行。
　　此外，该电容器也常用于精密测量仪器、测试设备和通信基站前端电路中，作为滤波和耦合元件，帮助提高信号的信噪比和系统灵敏度。在工业控制领域，50CER22LD被用于PLC模块、传感器接口电路和DC-DC转换器中，提供稳定的电容支持，增强系统的抗干扰能力。由于其宽温特性和高可靠性，该器件同样适用于汽车电子中的ECU、ADAS系统和车载信息娱乐系统，在极端温度环境下依然保持性能稳定。在医疗电子设备如心电图机、超声成像系统中，50CER22LD用于信号调理电路，确保微弱生物电信号的准确采集与处理。总之，凡是需要高稳定性、低损耗和高频响应的电子系统，50CER22LD都是理想的选择。

GRM21BR71H223KA01L
　　CC0805JRNPO9BN220
　　C2012X5S1H220K