型号：50CE220FS
　　制造商：Vishay Siliconix
　　晶体管类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-1.9A（@ VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：65mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：85mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
　　栅极电荷（Qg）：5.3nC（@ VGS = -4.5V）
　　输入电容（Ciss）：290pF（@ VDS = -10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

50CE220FS具备优异的电气性能和热稳定性，其P沟道设计使其在电源开关应用中无需复杂的驱动电路，能够直接由微控制器或逻辑IC输出信号驱动。该器件的关键特性之一是低导通电阻，在VGS = -4.5V条件下，RDS(on)仅为65mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率，特别适用于电池供电设备中延长续航时间。此外，在较低驱动电压（如VGS = -2.5V）下仍能保持85mΩ的低导通电阻，说明其在低压逻辑电平（如1.8V或2.5V系统）下依然具备良好的开关能力，增强了与现代低电压数字系统的兼容性。
　　该MOSFET的阈值电压范围为-0.8V至-1.5V，确保了器件在较低的负栅压下即可开启，避免因驱动能力不足导致的误动作或延迟。其较小的栅极电荷（Qg = 5.3nC）有助于减少开关过程中的动态损耗，提升高频开关应用中的响应速度和能效。输入电容仅为290pF，进一步降低了驱动电路的负载，有利于提高系统整体响应速度。
　　50CE220FS采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB上布局，同时具备良好的散热性能。器件符合JEDEC标准的可靠性测试要求，可在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于各种严苛环境下的工业和消费类应用。此外，该器件通过了无铅认证和符合RoHS指令，支持环保制造工艺。内置的体二极管提供了反向电流保护功能，在某些应用场景中可简化外围电路设计。总体而言，50CE220FS是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，适用于对尺寸、功耗和效率均有较高要求的现代电子系统。

50CE220FS广泛应用于各类便携式电子设备中的电源管理模块，典型用途包括移动设备中的电池电源开关、LCD背光控制、USB端口电源管理以及各类低电压负载开关电路。在智能手机和平板电脑中，常用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或系统休眠模式下的电源隔离。该器件也适用于便携式医疗仪器、可穿戴设备和物联网终端设备，作为主电源或辅助电源的开关控制元件，帮助降低静态功耗，延长电池使用寿命。
　　在消费类电子产品中，50CE220FS可用于音频设备的电源切换、传感器模块的供电控制以及小型电机的驱动电路。其快速开关能力和低导通电阻使其适合用于DC-DC转换器中的同步整流或高端开关配置，尤其是在低电压输入（如3.3V或5V）系统中表现优异。此外，该MOSFET还可用于过流保护电路、热插拔控制器以及电源多路复用器中，提供可靠的电流控制和短路保护功能。
　　由于其SOT-23封装的小尺寸特性，50CE220FS特别适合空间受限的应用场景，例如TWS耳机、智能手表、微型摄像头模组等超小型电子产品。在工业控制领域，也可用于PLC模块、传感器接口电路和低功耗数据采集系统中的信号通断控制。其宽工作温度范围和高可靠性使其能够在恶劣环境下长期稳定运行，满足工业级应用的需求。总之，50CE220FS凭借其优良的电气特性和紧凑封装，成为现代低功耗电子系统中不可或缺的关键元器件之一。

Si2301DS
　　AO3401A
　　FDD8447