50CE220FH 时间：2025/9/20 4:33:03 阅读：6

50CE220FH是一款由Vishay Siliconix公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等高效率、高频开关场景。该器件采用先进的沟槽式场效应技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优良的热稳定性等特点。50CE220FH的封装形式为TO-247，这种大功率封装有助于提升散热性能，适用于中高功率密度设计。其额定电压为500V，能够承受较高的漏源电压，适合在工业控制、电源适配器、光伏逆变器及照明镇流器等应用中使用。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有助于减少开关损耗，提高系统整体能效。器件符合RoHS环保标准，并具备可靠的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性。

参数

型号：50CE220FH
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：22 A @ 100°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：88 A
　　导通电阻（RDS(on) max）：0.22 Ω @ VGS = 10 V
　　阈值电压（VGS(th)）：3.0 ~ 4.5 V
　　栅极电荷（Qg）：60 nC typ
　　输入电容（Ciss）：1300 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：55 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 ~ +150 °C
　　封装类型：TO-247

特性

50CE220FH的核心优势在于其出色的导通与开关性能平衡。其低导通电阻（RDS(on)）仅为0.22Ω，在500V耐压等级的MOSFET中属于较高效率水平，显著降低了在导通状态下的功率损耗，尤其适用于大电流持续工作的电源拓扑结构。该器件采用优化的沟槽栅工艺，不仅提升了载流子迁移率，还有效降低了米勒电容效应，从而减少了在高频开关过程中因寄生电容引起的能量损耗。其栅极电荷（Qg）典型值为60nC，较低的Qg意味着驱动电路所需的功耗更小，有利于简化栅极驱动设计并提升系统效率。
　　此外，50CE220FH具备良好的热稳定性和长期可靠性。TO-247封装提供了较大的焊接触面和优良的热传导路径，可直接连接散热器，有效将芯片结温传导至外部环境，防止因局部过热导致器件失效。该MOSFET还具备较强的雪崩耐量能力，能够在电源异常或感性负载断开时承受一定的反向能量冲击，提高了系统在恶劣工况下的安全性。其反向恢复时间（trr）为55ns，配合体二极管的快速响应特性，可在同步整流或桥式电路中减少反向恢复带来的尖峰电压和电磁干扰问题。
　　在制造工艺方面，Vishay Siliconix采用了严格的品质控制流程，确保每批次产品具有一致的电气特性和高可靠性。器件通过了AEC-Q101等可靠性认证，适用于对长期运行稳定性要求较高的工业和能源领域。同时，50CE220FH支持并联使用，多个器件可并联以分担更大电流，进一步扩展其在高功率应用中的适用范围。

应用

50CE220FH广泛用于各类中高功率开关电源系统中，如AC-DC开关电源、DC-DC升压/降压转换器、PFC（功率因数校正）电路等，作为主开关管或同步整流开关使用。在工业自动化设备中，它可用于电机驱动控制器中的H桥或半桥拓扑结构，实现高效且精确的电机调速与方向控制。由于其高耐压和高电流能力，该器件也常见于太阳能光伏逆变器中，用于直流侧的斩波或逆变阶段，将太阳能板产生的直流电高效转换为交流电输出。
　　在照明领域，50CE220FH可用于高强度气体放电灯（HID）镇流器或LED驱动电源中，特别是在需要恒流输出和高效率转换的场合。此外，该器件适用于不间断电源（UPS）、电信电源模块、电池管理系统（BMS）以及电动汽车车载充电机（OBC）等新兴应用场景。其高可靠性和宽温度工作范围使其能够在严苛的工业环境或户外设备中稳定运行。工程师在设计时可结合专用的驱动IC和保护电路（如过流、过温检测），充分发挥50CE220FH的性能优势，构建高效、紧凑且安全的电源解决方案。