时间：2025/6/22 3:32:11
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501R18N122KV4E 是一款高压功率 MOSFET，属于 SiC（碳化硅）基半导体器件。该型号采用先进的 SiC 技术制造，具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特性，适用于高频、高效率电源转换场景。
型号：501R18N122KV4E
类型：SiC MOSFET
漏源极电压（Vds）：1200V
连续漏极电流（Id）：18A
导通电阻（Rds(on)）：50mΩ
栅极电荷（Qg）：90nC
工作温度范围（Tj）：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-4L
501R18N122KV4E 的主要特点是其基于 SiC 材料的优异性能。首先，它能够承受高达 1200V 的漏源极电压，这使其非常适合于工业级高电压应用。其次，其低至 50mΩ 的导通电阻确保了较低的传导损耗，从而提高了系统的整体效率。
此外，该器件的快速开关能力（由其低栅极电荷决定）使得它在高频开关应用中表现尤为出色，如太阳能逆变器、电动汽车充电器以及不间断电源（UPS）系统等。同时，宽广的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃）也增强了其在恶劣环境中的可靠性。
由于 SiC 材料本身具备更高的热导率和更小的体积需求，该器件还能够在不牺牲性能的情况下实现更紧凑的设计。
501R18N122KV4E 广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 太阳能逆变器：用于 DC-AC 转换以提高能量转换效率。
2. 电动车充电基础设施：支持快速充电功能，减少能量损失。
3. 不间断电源（UPS）：提供高效稳定的电源管理。
4. 工业电机驱动：实现精确控制和高效运行。
5. 高频 DC-DC 转换器：满足现代电子设备对小型化和高效率的需求。
501R18N120KV4E, CSD18540KCS, SCT2080KL
