时间：2025/6/3 13:08:10
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500R15N470JV4T是一种高压、高功率的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于开关和放大电路。该型号属于N沟道增强型MOSFET，适用于要求低导通电阻和高效率的场景，广泛应用于工业电源、电机驱动、开关电源等领域。
该器件采用先进的工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：1500V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：5A
导通电阻：4.7Ω
功耗：30W
结温范围：-55℃至175℃
500R15N470JV4T具有出色的电气性能，包括高击穿电压、低导通电阻以及快速开关速度，可以显著减少开关损耗。
此外，它还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣环境下长期运行。其封装设计优化了散热性能，适合高功率密度的应用场景。
由于采用了先进的材料与制造技术，该器件的寄生电容和电感较小，从而进一步提升了开关性能和电磁兼容性。
此MOSFET支持多种保护功能，例如过流保护和短路保护，有助于提高系统的整体安全性。
该芯片主要应用于高压电源管理领域，如不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电设备等。
此外，500R15N470JV4T也适用于工业自动化设备中的电机驱动电路以及各类大功率开关电源。
由于其高效率和强耐压能力，该器件还可用于航空航天和军事领域的特殊电子设备中。
500R15N470JW4T, 500R15N470JX4T
