MB81461-15 时间：2025/9/22 9:37:15 阅读：30

MB81461-15是一款由富士通（Fujitsu）公司生产的高性能、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于高速CMOS SRAM系列，专为需要快速数据访问和高可靠性的应用而设计。MB81461-15采用先进的制造工艺，具有出色的电气性能和稳定性，适用于工业控制、通信设备、网络系统以及嵌入式系统中的缓存或主存储单元。该芯片封装形式通常为标准的44引脚塑料DIP（Dual In-line Package）或TSOP（Thin Small Outline Package），便于在多种PCB布局中使用，并具备良好的散热性能与抗干扰能力。MB81461-15支持商业级工作温度范围（0°C至+70°C），部分版本可能提供扩展工业级温度选项，确保其在各种环境条件下稳定运行。

参数

型号：MB81461-15
　　存储容量：16K x 4位（64Kbit）
　　组织结构：16,384字 × 4位
　　电源电压：5V ±10%（典型值5.0V）
　　访问时间：15ns
　　工作电流：典型值为70mA（最大值约100mA）
　　待机电流：≤10μA（CMOS低功耗模式）
　　输入逻辑电平：TTL兼容
　　输出驱动能力：标准LSTTL兼容
　　封装类型：44-pin DIP 或 44-pin TSOP
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　读写操作支持：异步读写控制，具备片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）信号控制
　　功耗：典型运行功耗约为350mW

特性

MB81461-15 SRAM芯片具备多项关键特性，使其在众多同类产品中脱颖而出。首先，其15纳秒的极短访问时间确保了高速数据读取能力，适用于对响应速度要求较高的实时处理系统，如高速缓存、图形处理缓冲区及数据采集系统等场景。其次，该芯片采用全静态CMOS设计，无需刷新周期即可保持数据稳定，极大地简化了系统设计复杂度并提升了整体可靠性。此外，其低待机电流特性（≤10μA）使得在系统处于空闲状态时能够显著降低整体功耗，特别适合于需要节能设计的应用场合。
　　该器件具备完整的TTL电平接口兼容性，可以直接与多种微处理器、微控制器和逻辑电路无缝连接，无需额外的电平转换电路，从而降低了系统成本和设计难度。其异步控制架构支持灵活的读写时序配置，允许系统根据实际需求优化总线操作效率。片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）三重控制信号提供了精确的存储访问管理能力，支持多芯片共用地址/数据总线的扩展应用，方便构建更大容量的存储子系统。
　　MB81461-15还具备高抗噪能力和稳定的输出驱动性能，在复杂电磁环境中仍能保证数据完整性。其封装形式兼顾传统通孔焊接（DIP）与现代表面贴装技术（SMT），适应不同生产流程的需求。同时，该芯片经过严格的质量测试，符合工业标准的可靠性指标，包括耐湿性、热冲击和寿命测试，确保长期运行的稳定性。这些综合特性使MB81461-15成为许多高端工业和通信设备中不可或缺的关键元器件。

应用

MB81461-15广泛应用于各类需要高速、可靠静态存储的电子系统中。在通信领域，它常被用于路由器、交换机和基站设备中的数据缓冲区，以实现快速的数据包暂存与转发处理。在工业自动化控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备以及运动控制卡的本地数据存储，支持高速指令执行与状态记录。此外，在测试与测量仪器中，如示波器、频谱分析仪等，MB81461-15作为高速采样数据的临时存储单元，有效提升数据采集与处理效率。
　　在嵌入式系统和消费类电子产品中，该SRAM也常见于打印机、复印机、POS终端等设备中，用于图像数据缓存或事务处理过程中的临时信息保存。由于其TTL兼容性和易于集成的特点，它也被广泛应用于教育实验平台、FPGA/CPLD开发板以及各类微控制器系统的外扩内存模块中，帮助开发者扩展有限的内部RAM资源。此外，在航空航天和军事电子设备中，部分加固版本的MB81461-15可用于对环境适应性和可靠性有更高要求的子系统中，承担关键数据的高速存取任务。