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MB81461-15 发布时间 时间:2025/9/22 9:37:15 查看 阅读:19

MB81461-15是一款由富士通(Fujitsu)公司生产的高性能、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于高速CMOS SRAM系列,专为需要快速数据访问和高可靠性的应用而设计。MB81461-15采用先进的制造工艺,具有出色的电气性能和稳定性,适用于工业控制、通信设备、网络系统以及嵌入式系统中的缓存或主存储单元。该芯片封装形式通常为标准的44引脚塑料DIP(Dual In-line Package)或TSOP(Thin Small Outline Package),便于在多种PCB布局中使用,并具备良好的散热性能与抗干扰能力。MB81461-15支持商业级工作温度范围(0°C至+70°C),部分版本可能提供扩展工业级温度选项,确保其在各种环境条件下稳定运行。

参数

型号:MB81461-15
  存储容量:16K x 4位(64Kbit)
  组织结构:16,384字 × 4位
  电源电压:5V ±10%(典型值5.0V)
  访问时间:15ns
  工作电流:典型值为70mA(最大值约100mA)
  待机电流:≤10μA(CMOS低功耗模式)
  输入逻辑电平:TTL兼容
  输出驱动能力:标准LSTTL兼容
  封装类型:44-pin DIP 或 44-pin TSOP
  工作温度范围:0°C 至 +70°C(商业级)
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  读写操作支持:异步读写控制,具备片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE)信号控制
  功耗:典型运行功耗约为350mW

特性

MB81461-15 SRAM芯片具备多项关键特性,使其在众多同类产品中脱颖而出。首先,其15纳秒的极短访问时间确保了高速数据读取能力,适用于对响应速度要求较高的实时处理系统,如高速缓存、图形处理缓冲区及数据采集系统等场景。其次,该芯片采用全静态CMOS设计,无需刷新周期即可保持数据稳定,极大地简化了系统设计复杂度并提升了整体可靠性。此外,其低待机电流特性(≤10μA)使得在系统处于空闲状态时能够显著降低整体功耗,特别适合于需要节能设计的应用场合。
  该器件具备完整的TTL电平接口兼容性,可以直接与多种微处理器、微控制器和逻辑电路无缝连接,无需额外的电平转换电路,从而降低了系统成本和设计难度。其异步控制架构支持灵活的读写时序配置,允许系统根据实际需求优化总线操作效率。片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE)三重控制信号提供了精确的存储访问管理能力,支持多芯片共用地址/数据总线的扩展应用,方便构建更大容量的存储子系统。
  MB81461-15还具备高抗噪能力和稳定的输出驱动性能,在复杂电磁环境中仍能保证数据完整性。其封装形式兼顾传统通孔焊接(DIP)与现代表面贴装技术(SMT),适应不同生产流程的需求。同时,该芯片经过严格的质量测试,符合工业标准的可靠性指标,包括耐湿性、热冲击和寿命测试,确保长期运行的稳定性。这些综合特性使MB81461-15成为许多高端工业和通信设备中不可或缺的关键元器件。

应用

MB81461-15广泛应用于各类需要高速、可靠静态存储的电子系统中。在通信领域,它常被用于路由器、交换机和基站设备中的数据缓冲区,以实现快速的数据包暂存与转发处理。在工业自动化控制系统中,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)设备以及运动控制卡的本地数据存储,支持高速指令执行与状态记录。此外,在测试与测量仪器中,如示波器、频谱分析仪等,MB81461-15作为高速采样数据的临时存储单元,有效提升数据采集与处理效率。
  在嵌入式系统和消费类电子产品中,该SRAM也常见于打印机、复印机、POS终端等设备中,用于图像数据缓存或事务处理过程中的临时信息保存。由于其TTL兼容性和易于集成的特点,它也被广泛应用于教育实验平台、FPGA/CPLD开发板以及各类微控制器系统的外扩内存模块中,帮助开发者扩展有限的内部RAM资源。此外,在航空航天和军事电子设备中,部分加固版本的MB81461-15可用于对环境适应性和可靠性有更高要求的子系统中,承担关键数据的高速存取任务。

替代型号

CY7C1268V18-15BAXI

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