时间：2025/6/28 20:44:01
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500R15N180JV4T是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压应用场合。该器件采用N沟道技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适合于电源管理、电机驱动以及工业控制等场景。它能够在高达1800V的电压下工作，并具备出色的热稳定性和可靠性。
该型号中的具体参数含义如下：500代表典型导通电阻值，R表示MOSFET类型，15N表示15A额定电流和N沟道，180表示耐压1800V，JV4T是封装和内部结构代号。
最大漏源电压：1800V
连续漏极电流：15A
导通电阻：500mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：1200pF
开关速度：快速
封装类型：TO-247
500R15N180JV4T具有以下关键特性：
1. 高耐压能力，支持高达1800V的工作电压，使其非常适合高压环境下的应用。
2. 较低的导通电阻（500mΩ）能够减少功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关特性使得其在高频开关电路中表现优异。
4. 稳定的热性能确保在高温条件下仍能保持高效运行。
5. 内置过温保护功能，进一步提升产品的安全性和可靠性。
6. 兼容多种驱动电路，易于集成到复杂系统中。
这款MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 高压DC-DC转换器。
2. 太阳能逆变器中的功率级控制。
3. 工业设备中的电机驱动电路。
4. 不间断电源（UPS）系统。
5. 开关模式电源（SMPS）设计。
6. 电动汽车充电站和相关高压电子设备。
500R15N180JA4T, 500R15N180JG4T
