时间：2025/5/31 2:38:56
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500R14N120JV4T 是一款高性能的功率 MOSFET，主要用于需要高电压和大电流处理能力的应用场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高效率和优异的热性能等特性，能够满足工业和汽车领域对可靠性和性能的严格要求。
这种型号的 MOSFET 属于 N 沟道增强型，通常用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他电力电子设备中。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：14A
导通电阻：500mΩ
栅极电荷：80nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
500R14N120JV4T 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻，在高电流条件下减少功率损耗。
3. 具备优秀的开关特性和热稳定性，能够在高频开关操作中保持高效运行。
4. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
5. 小封装设计，节省 PCB 空间，同时提供卓越的散热性能。
6. 支持高温工作，确保在恶劣环境下的可靠性。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动车辆 (EV/HEV) 中的电机控制和电池管理系统 (BMS)。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
5. LED 照明驱动和家电产品中的高效能源管理方案。
500R14N120JW4T, 500R14N120JX4T
