LTL1CHTGK6 时间：2025/9/6 2:44:18 阅读：27

LTL1CHTGK6 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽工艺技术制造，具有优异的导通性能和高效率，适用于多种电源管理和功率控制应用。该封装为 TSOP（Thin Small Outline Package），具有紧凑的尺寸和良好的散热能力，适合在空间受限的设计中使用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：6A
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS = 4.5V；34mΩ @ VGS = 2.5V
　　功率耗散（PD）：3.6W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TSOP
　　引脚数：6

特性

LTL1CHTGK6 采用先进的沟槽 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗并提高了系统效率。其栅极驱动电压支持低至 2.5V，适用于现代低电压数字控制电路，如微控制器单元（MCU）或数字信号处理器（DSP）。该器件的 TSOP 封装设计提供了良好的热性能和紧凑的占位面积，适用于电池供电设备、手持设备和小型电源模块。此外，该 MOSFET具备良好的热稳定性和抗雪崩击穿能力，确保在高负载和高温环境下仍能可靠运行。
　　该器件还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss）使其非常适合用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和 LED 照明控制电路。LTL1CHTGK6 的设计兼顾了高性能与可靠性，适用于消费电子、工业控制、汽车电子等多种应用领域。

应用

LTL1CHTGK6 广泛应用于多个领域，包括但不限于：便携式电子设备中的负载开关和电池管理系统；电源管理模块中的 DC-DC 转换器和同步整流器；电机驱动电路和 LED 照明调光控制；工业自动化设备中的低电压功率控制电路；以及汽车电子系统中的车载充电器、车载电源管理系统和辅助电机控制器。该器件的低导通电阻和高效率特性使其成为高效能、小体积电源设计的理想选择。