LTL1CHTGK6 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽工艺技术制造,具有优异的导通性能和高效率,适用于多种电源管理和功率控制应用。该封装为 TSOP(Thin Small Outline Package),具有紧凑的尺寸和良好的散热能力,适合在空间受限的设计中使用。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):20V
栅源电压(VGS):±12V
连续漏极电流(ID):6A
导通电阻(RDS(on)):28mΩ @ VGS = 4.5V;34mΩ @ VGS = 2.5V
功率耗散(PD):3.6W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TSOP
引脚数:6
LTL1CHTGK6 采用先进的沟槽 MOSFET 技术,具有极低的导通电阻(RDS(on)),从而降低了导通损耗并提高了系统效率。其栅极驱动电压支持低至 2.5V,适用于现代低电压数字控制电路,如微控制器单元(MCU)或数字信号处理器(DSP)。该器件的 TSOP 封装设计提供了良好的热性能和紧凑的占位面积,适用于电池供电设备、手持设备和小型电源模块。此外,该 MOSFET具备良好的热稳定性和抗雪崩击穿能力,确保在高负载和高温环境下仍能可靠运行。
该器件还具备快速开关特性,有助于减少开关损耗,提高电源转换效率。其低栅极电荷(Qg)和低输出电容(Coss)使其非常适合用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和 LED 照明控制电路。LTL1CHTGK6 的设计兼顾了高性能与可靠性,适用于消费电子、工业控制、汽车电子等多种应用领域。
LTL1CHTGK6 广泛应用于多个领域,包括但不限于:便携式电子设备中的负载开关和电池管理系统;电源管理模块中的 DC-DC 转换器和同步整流器;电机驱动电路和 LED 照明调光控制;工业自动化设备中的低电压功率控制电路;以及汽车电子系统中的车载充电器、车载电源管理系统和辅助电机控制器。该器件的低导通电阻和高效率特性使其成为高效能、小体积电源设计的理想选择。
Si2302DS、FDN340P、FDMC6680、NTLJD3114N、AO4406A