时间：2025/6/12 11:47:43
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500R07S100GV4T 是一种基于碳化硅（SiC）技术的功率半导体器件，具体为一款肖特基二极管。该器件具有高耐压、低漏电流和快速恢复时间的特点，适用于高频开关电源、太阳能逆变器以及电机驱动等应用领域。
该型号中的数字和字母代表了不同的参数规格，例如额定电压、额定电流及封装类型等。
额定电压：1200V
额定电流：7A
正向压降：≤1.6V
反向漏电流：≤300μA
工作温度范围：-55℃ to +175℃
结电容：约25pF
最大浪涌电流：120A
封装形式：TO-247-2
500R07S100GV4T 使用碳化硅材料制造，相比传统的硅基二极管具备更低的正向压降和更高的效率。其优异的热性能允许在更高温度环境下运行，同时保持稳定的电气特性。
此外，该器件具有极快的开关速度，几乎没有反向恢复电荷，这使其非常适合高频应用场景。它的高耐压能力也保证了在高压条件下的可靠性。
碳化硅肖特基二极管还表现出良好的抗电磁干扰性能，有助于减少系统中的噪声问题。
这款二极管广泛应用于各种高效率电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 太阳能光伏逆变器
3. 电机控制器
4. 电动车充电装置
5. 工业自动化设备中的功率转换模块
由于其出色的性能，特别适合需要高功率密度和高效能量转换的设计方案。
CSD12070KCS, SCT2070KR, 12SM07AP4H
