时间：2025/5/15 12:30:13
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500R07N101JV4T 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频、高效能功率转换应用。该型号由知名半导体厂商生产，专为提高效率和减小电源系统尺寸而设计。其独特的封装形式使其具有出色的散热性能，并且能够承受高电压环境下的长时间工作。
额定电压：100V
连续漏极电流：7A
导通电阻：50mΩ
栅极电荷：60nC
开关频率范围：最高可达10MHz
工作温度范围：-40℃至+125℃
封装形式：TO-247-4L
500R07N101JV4T 具有低导通电阻和快速开关速度，可显著降低传导损耗和开关损耗。此外，它还具备零反向恢复电荷的特性，这在高频应用中尤为重要。该器件采用增强型架构，确保了高可靠性和稳定性。其耐热增强型封装进一步提升了整体性能，使设备能够在极端条件下运行。
主要特点包括：
1. 超低导通电阻，减少功率损耗。
2. 高效开关能力，支持高频操作。
3. 内置保护机制，防止过流和过温损坏。
4. 出色的热管理和可靠性设计。
这种氮化镓晶体管广泛应用于各种领域，例如数据中心服务器电源、电动车充电设施、太阳能逆变器以及消费类快充适配器等。具体应用场景包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级控制。
2. DC-DC转换器，特别是要求高效率的小型化模块。
3. 无线充电系统中的谐振电路驱动。
4. 电机驱动器中的逆变桥臂组件。
500R07N101KU4T, 500R08N101JV4T
