NVGS3443T1G 时间：2025/6/19 13:01:58 阅读：5

NVGS3443T1G 是一款由安森美（onsemi）生产的高压 MOSFET，采用 TOLL 封装形式。该器件属于超级结 MOSFET 系列，具有低导通电阻和高效率的特点，专为高频开关应用而设计。
　　这款器件能够提供出色的开关性能，适用于多种功率转换场景，例如开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等。

参数

型号：NVGS3443T1G
　　类型：N-Channel MOSFET
　　VDS（漏源电压）：650V
　　RDS(on)（导通电阻）：85mΩ
　　ID（连续漏极电流）：19A
　　Qg（总栅极电荷）：70nC
　　Ciss（输入电容）：2040pF
　　EAS（雪崩能量）：3.1J
　　封装：TOLL
　　工作温度范围：-55℃ 至 175℃

特性

NVGS3443T1G 的主要特性包括：
　　1. 高压操作能力，额定 VDS 为 650V，适合各种高压应用场景。
　　2. 极低的 RDS(on)，仅为 85mΩ，在高电流条件下可减少导通损耗。
　　3. 出色的开关性能，总栅极电荷 Qg 仅为 70nC，从而降低开关损耗。
　　4. 具备较高的雪崩能量能力，提高器件在异常情况下的可靠性。
　　5. 采用 TOLL 封装，具备良好的热性能和电气连接能力。
　　6. 工作温度范围宽广，能够在极端温度环境下稳定运行。
　　这些特性使 NVGS3443T1G 成为高性能功率转换的理想选择。

应用

NVGS3443T1G 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器等。
　　2. 电机驱动，包括工业控制中的伺服电机和步进电机。
　　3. DC-DC 转换器，用于汽车电子、通信设备等领域。
　　4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理。
　　5. PFC（功率因数校正）电路，提升电力系统的效率。
　　由于其高效率和高可靠性，该器件在需要高性能功率管理的场合中表现出色。